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    电感耦合等离子体光谱分析技术与应用课件.ppt

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    电感耦合等离子体光谱分析技术与应用课件.ppt

    电感耦合等离子体光谱分析技术与应用(1),辛仁轩 清华大学 培训班讲稿 2008.8威海,1,2,电感耦合等离子体光源,原理,装置和应用仪器分析手册,发射光谱仪器部分现代仪器分析实验技术 发射光谱分析部分等离子体发射光谱分析,本课主要内容,1 等离子体基本原理2 ICP光源的物理化学原理3 ICP光谱仪器与装置4 专用进样装置5 ICP光谱定量分析技术6 光谱干扰和基体效应7 ICP光谱技术的特点8 轴向观测等离子体光谱光源9 有机ICP光谱技术10 ICP光谱技术和仪器的发展ICP光谱技术的应用,3,原子光谱发展简史,1定性分析阶段17世纪中叶牛顿用三棱镜观察太阳光谱1859-1860年克希霍夫和本生第一次用分光镜于化学分析,发现光谱和物质组成的关系,奠定光谱定性分析基础,并用它发现周期表中许多元素;1861-在硒渣中发现铊1863-在硫化锌中发现銦;1875-闪锌矿中发现鎵;1879-发现稀土元素鈥,钐,铥;1885-发现镨,釹;1907-发现镥;光谱定性还发现稀有气体等2定量分析阶段1925年盖拉赫提出内标原理;1930-1931罗马金和塞伯提出定量分析的经验公式,确定谱线强度和元素浓度的关系,4,3等离子体光源技术时代20世纪主要用火焰,电弧放电,火花放电做激发光源在20世纪40-60年代广泛应用电光源和内标法进行分析,是多元素分析的重要工具,1955年瓦尔西发明AAS,有明显优点,逐渐取代发射光谱的应用领域,火花电弧光谱光源的的问题是:固体或粉末进样方式样品处理和配标准困难,发光稳定性差,基体效应严重,建立方法困难。后来研发了多种等离子体发射光谱激发光源。用气体放电的等离子体光谱光源的特点是:(1)放电稳定,发光强度稳定,精密度高;(2)可用液体喷雾的进样方式,操作方便。各种类型等离子体型光谱光源:空心阴极光源,辉光放电,微波等离子体,直流等离子体,电感耦合等离子体。,5,第一章 等离子体基础,1 等离子体的基本概念等离子体被称作物质的第四态,固体液体气态等离子态。与普通气体不同的是它有一定的电离度,它是电离度0.1%以上的气体;是电的导体;通过电流加热气体或其它加热方式获得高温;与普通气体不同,由电子,离子,基态中性原子和分子组成,其浓度与温度有关。等离子体种类很多:高空的电离层,闪电,极光,原子弹爆炸形成的火光,霓虹灯,日光灯,高压汞灯,工程用的氩弧焊,电弧焊等。等离子体分类:高温等离子体和低温等离子体 热等离子体(发光,发热)和冷等离子体(发光,不 发热,气体温度低)弱电离等离子体,完全电离等离子体产生等离子体的方式;放电(高频放电,微波放电,普通电弧放电等),高温加热电离(燃烧火焰),强光照射,放射性辐照,场电离致,激光照射,宇宙射线照射。,6,2 光谱分析用等离子体光源,(2)MIP-微波等离子体光源,7,用2450MHz的微波电源,功率约100瓦,用He气等惰性气体做工作气体,气体耗量不到1升/min,可测定金属元素和于非金属元素分析(:H,C,F,Cl,Br,I,S),但测定非金属元素灵敏度较高,用于测定有机物中的元素成分.,(1)DCP-直流等离子体光源,200伏直流电源,500W-700W,三电极放电,氩气工作气体,气动雾化进样灵敏度较高,基体效应较大,(3)电感偶合等离子体(ICP),8,电感耦合等离子体光源(Inductively Coupled Plasma,ICP),频率27-40MHz电源,0.8-1.5KW高频功率,氩气工作气体,形成的大气压力下的气体放电作为激发源,灵敏度较高,基体效应较低,可以进行多元素同时测定,无电极沾污得到广泛应用.成为无机元素分析的重要工具.,电磁感应加热,中心通道是加热区环形感应电流区气流控制区,三 电感耦合等离子的形成,9,*1高频电流产生电磁场,通过电磁感应在被电离的气体种产生感应电流,加热气体,把电能转换为气体分子,电子,离子的动能2 电火花点火,雪崩电离形成等离子体(碳棒点火)3 稳定的高频电源和气流供给,三股气流的作用,四 为什么要用Ar气作为工作气体?分子气体,导热,分析性能,点火容易易形成稳定等离子体,10,等离子体工作气体物理特性的影响,需要功率低容易形成稳定等离子体ICP有较高的温度和激发能分析性能好,等离子体温度,五 光谱分析用等离子体的特性,1 电离度0.1%以上的气体;是电的导体;通过电流加热气体获得高温;等离子体气体的电导率与温度有关,在温度为7875K时,氩ICP的电导率是6.5/cm.等离子体气体的电导率也可用公式计算:气体的电导率决定了等离子体的电阻,而电阻大小又决定了等离子体能从高频电源通过感应得到多小能量。有的气体由于电导率较低,不能从电源得到较多能量,因而形成等离子体较困难.。难电离的气体.不宜作为光谱分析的工作气体。,11,ne电子密度e0-基本电荷e自由行程,me-电子质量,2 等离子体是由电子,离子,中性原子组成,各组分浓度与温度有关,氩ICP的组成:6000K Ar1.221018,Ar+2.931013,e2.9310138500K Ar8.571017,Ar+2.891015,e2.891015,Ar+2.581053 等离子体总体是电中性,正电荷=负电荷 对于氩ICP ne=nAr+nAr+4 具有较高的电离和激发能力(适当的电离和激发能)。,12,温度,电子密度,第二 章 ICP光源的物理化学基础,一 ICP 的物理特性 1 趋肤效应(中心通道进样)2 ICP光源有较高(适合)的温度和较高的电子密度 3 光谱分析用等离子体不满足热力学平衡条件,在不同程度上偏离热力学平衡状态。局部热力学平衡体系(local thermal equilibrium,LTE)。几种温度:激发温度Texc,气体温度Tg,电子温度Te,电离温度Tion,13,1 趋肤效应(中心通道进样),14,S:趋肤层厚度,最大电流的e分之一处厚度。f:高频频率;导磁率,电导率对于f27MHZ,35MHZ,52MHZ的高频等离子体,S约为0.38cm,0.33cm.0.27cm,优点:高温,高原子化效率,高激发能,2 ICP光源有较高(适合)的温度和较高的电子密度,在高频功率1kw左右时,氩等离子体的温度可达5000K,电子密度可达1015/cm3.数量级。温度高有较高的原子化效率 温度与双原子分子离解度的关系:原子化效率,15,3 热力学不平衡等离子体,等离子体由电子,离子,中性原子和分子组成,电子从电场得到能量(动能),与其它粒子碰撞,进行能量交换,根据各种粒子的能量状态;热力学平衡等离子体,热力学不平衡等离子体,局部热力学平衡体系(local thermal equilibrium,LTE)。几种温度:激发温度Texc:表征等离子体光源中所激发的原子外层电子在各能级的 分布状态,是代表的激发能力的参数。由玻尔兹曼分布可看出其关系Nj:激发态原子密度;N0基态原子密度;gj激发态j的统计权重;g0基态统计权重Ej:j激发态激发能;Texc:激发温度,16,17,气体温度Tg:表征中性原子和分子动能的大小,也叫平动温 度,在原子化过程起重要作用。mv23kTg k:玻尔兹曼常数;v:粒子的平均速度;m:粒子质量。电离温度Tion:表征等离子体中电离状态的 参数,其值反映光源的电离能力,电离温度高,光源的电离能力强,离子谱线越强。电离温度可通过Boltzmann-Saha方程计算出:,带号及0号分别为离子线和原子线的参数;me是电子的质量;E+,E0分别为离子线和原子线的激发电位;Eion0.05ev,18,电子温度Te:反映电子能量的高低。可通过Dolton 定律及电中性的规律来计算出电子温度;,实验表明,光谱分析用ICP光源中无统一的温度,并存在下列关系,TeTionTexcTg Texc=f(Eexc);Tion=f(Eion)Tg:3000K 4000K Tion:6000K 7000K Texc:5000K 6000K Te:7500K 8500K 与高频功率,载气流量(压力)观测位置,元素,谱线等有关。与等离子体的区域有关。与工作气体种类与组成有关,19,4 ICP光源温度和电子密度的测定,(1)激发温度的测定:光谱法:绝对强度法,两线法测定温度,多谱线斜率法,20,多谱线斜率法-ICP焰的激发温度测量,21,I:谱线强度 N0:基态原子浓度g:统计权重 Ep:激发电位h:普朗克常数 T:激发温度A:跃迁几率 k:波耳兹曼常熟:波长 C:光速,Texc:激发温度C常数:截距5040/Texc:斜率,多谱多谱线斜率法测温用图,22,测量温度用铁原子谱线扫描光谱图,23,单道扫描光谱仪,中阶梯不行,等离子体焰激发温度分布,中心通道温度4000K-5500K,24,激发温度轴向温度与非轴向不同,ICP的径向激发温度分布,25,a-1.75KWb-1.5KWc-1.25KW,观测高度15mm,观测高度20mm,(2)等离子体气体温度的测定,从分子的转动光谱的求出的温度大体上可代表平动温度,ICP光谱有明显的OH基谱带(CN,C2,BO带)可用于气体温度测定。,26,(3)等离子体电子温度的测定,如已知电子密度可 求出ICP光源在局部热力学平衡条件下的电子温度,27,在ne为(0.6-3.4)1015条件下,Te为74008400K应当注意,电子温度(气体温度,激发温度)与分析条件有关,,高频功率及观测高度与电子温度的关系,28,载气流量对电子温度的影响,29,径向电子温度的变化,30,上:理论值下“实验值,(4)电子密度及其测定,电子密度是指在等离子体中单位体积中(通常是cm3)电子数目,对具体气体而言,电子密度的大小代表气体电离度的高低,对等离子体光源的分析性能有重要影响。电子密度的测定有多种方法,主要用Stark变宽法。Stark变宽法:Stark变宽是光源中电场引起光谱项及谱线分裂,并使强度中心频移的物理现象。等离子体光源是在强电场中,高速运动的电子导致谱线的斯塔克变宽,因H谱线的斯塔克变宽的值较大,多用H或H谱线变宽值计算等离子体的电子密度。H谱线的波长为486.1nm用H变宽值计算电子密度的公式为,31,C(ne,T):与电子密度和温度有关的系数,可查表,是Stark变宽半宽度值,Stark变宽法测定电子密度,32,H486.1nm的C(ne,T)值,-Stark效应谱线及光谱项再电磁场中位移和变宽.,电子密度的径向分布和轴向分布,33,电子密度与载气流量的 关系,34,电子密度与载气流量的 关系-0.5L/min-0.7L/min-0.9L/min观测高度 10mm高频电源 27.1MHz,

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