《微电子器件》第三版习题讲解ppt课件.ppt

,部 分 习 题 解 答,部分物理常数：,第 2 章,1、在 N 区耗尽区中，高斯定理为：,取一个圆柱形体积，底面在 PN 结的冶金结面（即原点）处，面积为一个单位面积，顶面位于 x 处。则由高斯定理可得：,当 x=xn 时，E(x)=0，因此，于是得：,（2-5a）,3、,4、,6、,ND2,ND1,8、(1),(2),20、,24、PN 结的正向扩散电流为,式中的 I0 因含 ni2 而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为,于是 PN 结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为,31、当 N-区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：,当 N-区缩短到 W=3m 时，雪崩击穿电压成为：,34、,39、,第 3 章,1、NPN 缓变基区晶体管在平衡时的能带图,NPN 缓变基区晶体管在放大区时的能带图,2、NPN 缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图,3、,6、,7、,8、以 NPN 管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时，由式（3-33a）和式（3-33b），,再根据注入效率的定义，可得：,9、,10、,(1),(2),(3),(4),14、,15、,20、当忽略基区中的少子复合及 ICEO 时，,27、实质上是 ICS。,22、,使 NB NC，这样集电结耗尽区主要向集电区延伸，可使基区不易穿通。,39、为提高穿通电压 Vpt，应当增大 WB 和 NB，但这恰好与提高 相矛盾。解决方法：,48、,当 IE 很大时，这时 0；,当 IE 很小时，这时 0；,在 IE 很小或很大时，都会有所下降。,在正常的 IE 范围内，几乎不随 IE 变化，这时,0 与 也有类似的关系。,58、,59、,65、,(1),(3),(2),(4),68、,第 5 章,1、,3、,5、,6、,8、,13、,