集成电路工艺原理接触及互连原理课件.ppt
1/47,集成电路工艺原理接触及互连原理,2/47,后端工艺 backend of the line technology (BEOL) 将器件连接成特定的电路结构：金属线及介质的制作，使得金属线在电学和物理上均被介质隔离。,全局互连（Al）,局部互连 （多晶硅, 硅化物, TiN）,（IMD）,接触（contact）金属和硅的结合部通孔（via）用于连接不同层的金属连线金属间介质（IMD）钝化层（passivation）,（PMD）,3/47,4/47,后端工艺越来越重要占了工艺步骤中大部分影响IC芯片的速度,多层金属互连增加了电路功能并使速度加快,5/47,互连的速度限制可以作简单的估计,由全局互连造成的延迟可以表达为：,其中eox是介质的介电常数，K是边缘场效应的修正系数，r是金属线的电阻率,e,6/47,各种延迟,7/47,对IC金属化系统的主要要求,(1) 金属和半导体形成低阻接触(2) 低阻互连(3) 与下面的氧化层或其它介质层的粘附性好(4) 台阶覆盖好(5) 结构稳定，不发生电迁移及腐蚀现象(6) 易刻蚀(7) 制备工艺简单,电学、机械、热学、热力学及化学,8/47,可能形成互连的导电材料,金属 （metal）：low resistivity多晶硅（polySi）：Medium resistivity)硅化物（metal silicides）：介于以上二者之间,9/47,10/47,定义：零偏压附近电流密度随电压的变化率,比接触电阻 c 的单位: Wcm2 或 m2 接触电阻：,衡量欧姆接触质量的参数是比接触电阻 c,重掺杂硅,金属线,接触面积A,金属Si之间， c在10-510-9 Wcm2金属金属之间， c10-8 Wcm2,11/47,欧姆接触,整流接触,金半接触,12/47,当金属与半导体之间的载流子输运以隧道穿透为主时，c与半导体的掺杂浓度N及金半接触的势垒高度qb有下面的关系 qb 在数值上等于金属费米能级上的电子进入半导体所需的能量。结论：要获得低接触电阻的金-半接触，必须减小金-半接触的势垒高度及提高半导体的掺杂浓度,13/47,形成欧姆接触的方式,低势垒欧姆接触：一般金属和p型半导体 的接触势垒较低 高掺杂欧姆接触,Al/n-type Si势垒高度 0.7 eV需高掺杂欧姆接触,Al/p-type Si势垒高度 0.4 eV,1.12 eV,14/47,常用金属-n型硅之间的肖特基势垒高度,Eg(Si)1.12eV,Cu,15/47,在降低接触尺寸时减小接触电阻的一些措施,在金属/半导体界面增加掺杂浓度-由杂质固溶度限制用具有低肖特基势垒的技术-在制备CMOS时，最好的选择时Mid-Gap Barrier 增加接触的有效面积 *-接触整个结面积，而不仅仅是接触孔面积用自对准硅化物技术（self-aligned silicide，SALICIDE）：与多晶栅和隔离自对准,16/47,SALICIDE Process,(a) Basic MOSFET structure fabricated,17/47,最常用的材料是Al：采用溅射淀积,Al 金属化系统失效的现象Al的电迁移（Electromigration）Al/Si接触中的尖楔现象Cu正全面取代Al,铝互连技术,18/47,（1）铝的电迁移,当大密度电流流过金属薄膜时，具有大动量的导电电子将与金属原子发生动量交换，使金属原子沿电子流的方向迁移，这种现象称为金属电迁移电迁移会使金属原子在阳极端堆积，形成小丘或晶须，造成电极间短路；在阴极端由于金属空位的积聚而形成空洞，导致电路开路,Hillock,19/47,20/47,(2) Al/Si接触中的尖楔现象,1）硅和铝不能发生化学反应形成硅化物，但是退火温度下（400-500 C），硅在铝中的固溶度较高（固溶度随温度呈指数增长），会有相当可观的硅原子溶解到Al中。2）退火温度下，Si在Al膜中的扩散系数非常大在薄膜晶粒间界的扩散系数是晶体内的40倍。3) Al和SiO2会发生反应：4Al+3SiO22Al2O3+3SiAl与Si接触时，Al可以“吃掉”Si表面的天然SiO2层(1 nm)，使接触电阻下降；可以增加Al与SiO2的粘附性。SiO2厚度不均匀，会造成严重的尖楔现象。,21/47,铝的尖楔SEM照片,22/47,合金化,合金化的目的是使接触孔中的金属与硅之间形成低阻欧姆接触，并增加金属与二氧化硅之间的附着力。 在300 oC以上，硅就以一定比例熔于铝中，在此温度，恒温足够时间，就可在Al-Si界面形成一层很薄的Al-Si合金。Al通过Al-Si合金和接触孔下的重掺杂半导体接触，形成欧姆接触 Al-Si系统一般合金温度为450-500 C,23/47,解决电迁移问题的方法在Al中加入0.54的Cu可以降低铝原子在晶间的扩散系数。但同时电阻率会增加！,铝中加入少量Si（1%）利用扩散阻挡层( Diffusion Barrier）：TiN， TiW，W及难熔金属硅化物；500 C稳定,解决尖楔问题的方法,24/47,金属硅化物作为接触材料,特点：类金属，低电阻率（0.01多晶硅），高温稳定性好，抗电迁移能力强，与硅工艺兼容性好,常用接触和扩散阻挡,淀积,溅射LPCVD/PECVD,退火,形成合适金属化合物形成稳定接触界面降低电阻率,25/47,通孔W塞(W-stud),电阻率介于铝和硅化物之间1mm后，充填能力强，台阶覆盖能力强热稳定性好低应力抗电迁移能力和抗腐蚀能力强,LPCVD,钨与SiO2等各种常用介质粘附不好，需要粘附层TiN；为了降低接触电阻，Si和TiN需加入Ti作为接触层,W/TiN/Ti/Si,钨塞两步法填充：硅烷法较低气压下成核生长 氢气法快速完全填充,26/47,27/47,介质层（inter-metal dielectric）,SiO2CVD（SiH4源)、PECVD SiO2（TEOS），SOG,低介电常数材料必须满足诸多条件，例如：足够的机械强度以支撑多层连线的架构高杨氏系数高击穿电压（4 MV/cm）低漏电（450 oC ）良好的粘合强度低吸水性低薄膜应力高平坦化能力低热涨系数以及与化学机械抛光工艺的兼容性.,Low-k integration,28/47,HDPCVD 淀积（填充）介质薄膜,USG（Un-doped Silicate Glass）：SiH4+O2+Ar USG+挥发物FSG（Fluorosilicate Glass）：SiH4+SiF4+O2+Ar FSG +挥发物PSG（Phosphossilicate Glass）：SiH4+PH3+O2 PSG+挥发物,29/47,30/47,Low k polymer,31/47,Airgap,32/47,多层布线技术（Multilevel-Multilayer Metallization）,器件制备,33/47,平坦（面）化技术,34/47,化学机械抛光CMP,1）随着特征尺寸的减小，受到光刻分辨率的限制：R，则l和/或NADOF下降！例如：0.25 mm 技术节点时，DOF 208 nm0.18 mm 技术节点时，DOF 150 nm,0.25 mm 后，必须用CMP才能实现表面起伏度200 nm,必要性,35/47,2）可以减少金属在介质边墙处的减薄现象，改善金属互连性能,不平坦时的台阶覆盖问题,使用CMP之后,36/47,可免除由于介质层台阶所需的过曝光、过显影、过刻蚀。,CMP的优势,使用CMP后,减少了缺陷密度，产率得到提高，给设计以更大的窗口,不使用CMP时,不使用CMP时,37/47,CMP,三个关键硬件：Polishing padWafer carrierSlurry dispenser,38/47,STI（浅沟槽隔离） 形成介质层的平面化 PMD 和 IMD钨塞的形成铜互连深槽电容,CMP的应用,39/47,其他平面化技术：1、PSG/PBSG回流（reflow） 使台阶平滑，高度未变850-1000 C,40/47,2、回刻技术（etch-back）溅射刻蚀（Ar+）使介质开口形成坡度CVD填充得到较为平坦的表面反应离子刻蚀CF4/O2实现局部平面化,USG回刻,USG：Undoped Silicate Glass,41/47,光刻胶回刻技术,CF4/O2刻蚀：F氧化硅，OPR调整CF4/O2 比值可以实现二者1:1 的刻蚀比回刻后氧化硅可以实现局部平坦化,SOG回刻,42/47,铜互连技术,Copper / Low k Dual Damascene (DD)大马士革双镶嵌工艺,43/47,44/47,PVD Cu籽晶层 ECP（电镀）,45/47,Culow k结构,46/47,接触和互连总结,金半接触类型：整流接触：n-SiM欧姆接触：p-SiAl, n+-Si/p+-SiM硅化物接触：低阻、欧姆接触,掺Cu/Si,阻挡层：TiN，金属硅化物,PSG回流回刻CMP,铜互连-low k,THE END,
