晶体三极管 输出特性曲线ppt课件.ppt

电子线路,晶体三极管的输出特性曲线,教学设计,复习回顾,当VBE大于三极管门坎电压时（硅管约0.5V,锗管约0.2V），三极管开始导通。随后IB在较大的范围内变动时，VBE变化很小，近似一个常数，此时VBE值称为发射结正向压降或导通电压值，硅管为0.7 V，锗管约为0.3 V。,VBE与IB成非线性关系,A,输入特性曲线,新知引入,在电路维修和故障分析中，常常要根据测量的电压，判定三极管是否正常工作，判定是三极管坏了还是电路其他元件坏了。就很有必要掌握三极管的三种工作状态及特点。,B,讲授新知,三极管的输出特性：IB为一定值，VCE和IC之间的相应数量关系，可用三极管的输出特性曲线表示。,以共射电路为例：,C,IC/mA,输出特性曲线族图,IB一定，VCE和IC对应的数据：,1截止区,IB=0，三极管处于截止状态。电流特点：IB=0，IC=ICEO0，ICEO为穿透电流。偏置条件：发射结反偏或零偏，集电结反偏。,截止状态,以NPN管为例：,VBE0,VBC 0,VCEVBE,ICEO,VBE,VBC,VCE,2饱和区,VCE=VCES ，VCES称为饱和压降，硅管约0.3V，锗管约为0.1V ，三极管处于饱和状态。电流特点： IC不随IB的增大而线性增大 。偏置条件：发射结正偏，集电结正偏。,饱和状态,VBE 0,VBC 0,VCE VBE,以NPN管为例：,VBE,VBC,VCE,3放大区,放大状态,电流特点：IC受IB控制而变化，IC=IB，具有电流放大作用。恒流特性：IB一定，IC不随VCE而变化，即IC恒定。偏置条件：发射结正偏，集电结反偏。,以NPN管为例：,VBE 0,VBC 0,VCE VBE,VBE,VBC,VCE,总结：三极管工作状态由偏置情况决定,C拓展新知：,1判别三极管的工作状态 ，NPN为硅管，PNP为锗管。,截止,放大,饱和,截止,放大,饱和,2. 工作人员在检修某放大电路时，在无图纸又无管子型号标志的情况下，他利用测电位的办法，在图中测出“1”端对地为-6.2V，“2”端对地为-6V，“3”端对地为-9V,从而定出了管脚所属的电极和管子的类型（PNP或NPN）,你能说出其中的道理吗？,PNP锗管，“1”为B，“2”为E，“3”为C,想一想：1.在截止状态下，IB能控制IC吗？三极管CE间等效电阻是大还是小？相当于C、E断开吗?2.在饱和状态下，IB能控制IC吗？三极管的CE间等效电阻是大还是小？相当于C、E怎么样?3.在放大状态下，IB能控制IC吗？三极管的CE间等效电阻有什么特点？,说在最后,小结 作业p36 9,10,D,敬请各位同仁提出宝贵意见！,