微纳米加工技术ppt课件.pptx

微纳米加工技术,微纳米加工技术,光刻（光学曝光技术）聚焦离子束加工技术扫描探针加工技术自组装纳米加工技术,光刻基本介绍,在基底（通常为硅片）表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。决定最小特征尺寸。 IC制程中最重要的模块,是集成电路中关键的工艺技术最早的构想来源于印刷技术中的照相制版。光刻技术最早于1958年开始应用，并实现了平面晶体管的制作。,如何在硅片上制作微结构？,1.涂胶 1.1清洗硅片1.2旋转匀胶 1.3 匀胶后烘2.曝光 2.1对准和曝光 2.2曝光后烘3.显影3.1显影3.2图形检查4.刻蚀5.除胶,1.涂胶 1.1清洗硅片1.2旋转匀胶 1.3 匀胶后烘2.曝光 2.1对准和曝光 2.2曝光后烘3.显影3.1显影3.2图形检查4.刻蚀5.除胶,光刻胶膜,使光刻胶中的大部分溶剂蒸发。溶剂帮助得到薄的光刻胶膜但是吸收光且影响黏附性曝光后烘时间和温度取决于工艺条件过烘:聚合,光敏性降低后烘不足:影响黏附性和曝光,1.涂胶 1.1清洗硅片1.2旋转匀胶 1.3 匀胶后烘2.曝光 2.1对准和曝光 2.2曝光后烘3.显影3.1显影3.2图形检查4.刻蚀5.除胶,三种曝光方式 接触式，接近式，投影式曝光光源选择新型曝光技术 X射线，电子束，离子束,1.涂胶 1.1清洗硅片1.2旋转匀胶 1.3 匀胶后烘2.曝光 2.1对准和曝光 2.2曝光后烘3.显影3.1显影3.2图形检查4.刻蚀5.除胶,显影液溶解部分光刻胶正胶显影液通常使用弱碱性的溶剂最常用的是四甲基氢氧化铵将掩膜上的图形转移到光刻胶上三个基本步骤:显影清洗干燥,1.涂胶 1.1清洗硅片1.2旋转匀胶 1.3 匀胶后烘2.曝光 2.1对准和曝光 2.2曝光后烘3.显影3.1显影3.2图形检查4.刻蚀（湿法、干法）5.除胶,安全,化学制品安全湿法清洗 硫酸(H2SO4）:强腐蚀性 双氧水(H2O2):强氧化剂二甲苯(负胶溶剂和显影液):易燃易爆HMDS(前处理):易燃易爆TMAH（正胶显影溶剂):有毒，有腐蚀性汞(Hg,UV lamp)蒸气 高毒性;氯(Cl2,受激准分子激光器) 有毒，有腐蚀性氟(F2,受激准分子激光器) 有毒，有腐蚀性,机械安全活动部件热表面高压灯电安全高压供电源掉电地面静电荷标注清晰和锁紧放射性安全UV光可破坏化学键有机分子有长化学键结构更易因UV引起损伤UV光通常用于消毒杀菌如果直视UV光源会伤害眼睛有时需要戴防UV护目镜,应用：微机械的制造,纳米加工技术的应用,其他加工方法,扫描隧道显微镜（STM）,电子/离子束加工,自组装纳米制造技术,与胶体化学联系,微纳米加工 胶体化学 具有特殊结构的胶粒，赋予胶体特殊功能胶体化学 微纳米加工在微纳米加工中引入胶体相关技术物理、化学性质联系微米/纳米级 胶体粒子 检测/功能器件,谢谢大家！,