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功能材料Functional Materials,功能材料Functional Materials李建忱材料馆610室,第一节 概述,定义：以特殊的电、磁、声、光、热、力、化学及生物学等性能作为主要性能指标的一类材料。是用于非结构目的高技术材料。1965年由美国贝尔实验室的J.A. Morton博士首先提出功能材料概念。,内容 1-1,功能材料在电力技术、电子信息技术、微电子技术、激光技术、空间技术、海洋技术等领域得到广泛应用。,例：计算机的发展历史CPU,电子管晶体管集成电路大规模集成电路,现代微型计算机的功能与第一台大型电子管计算机相当，但运算速度快几十倍、体积仅1/300,000、重量仅1/60,000。IBM研制的超级计算机的运算能力可达39,000次/s。（发热）材料：锗Ge半导体材料 硅Si半导体材料 硬化镓GaAs半导体材料,功能材料的分类,功能材料种类繁多，涉及面广，有多种分类方法。目前主要是根据材料的化学组成、应用领域、使用性能进行分类。,研究背景 2-1,功能材料的现状,近几年来，功能材料迅速发展，已有几十大类，10万多品种，且每年都有大量新品种问世。现已开发的以物理功能材料最多，主要有：1）单功能材料，如：导电材料、介电材料、铁电材料、磁性材料、磁信息材料、发热材料、热控材料、光学材料、激光材料、红外材料等。2）功能转换材料，如：压电材料、光电材料、热电材料、磁光材料、声光材料、电流变材料、磁敏材料、磁致伸缩材料、电色材料等。,3）多功能材料：如防振降噪材料、三防材料（防热、防激光和防核）、电磁材料等。4）复合和综合功能材料，如：形状记忆材料、隐身材料、传感材料、智能材料、显示材料、分离功能材料、环境材料、电磁屏蔽材料等。5）新形态和新概念功能材料，如：液晶材料、梯度材料、纳米材料、非平衡材料等。 目前，化学和生物功能材料的种类虽较少，但其发展速度很快，其功能也更多样化。,功能材料的展望,展望21世纪，功能材料的发展趋势为：1）开发高技术所需的新型功能材料，特别是尖端领域（航空航天、分子电子学、新能源、海洋技术和生命科学等）所需和在极端条件下（超高温、超高压、超低温、强腐蚀、高真空、强辐射等）工作的高性能功能材料；2）功能材料的功能从单功能向多功能和复合或综合功能发展，从低级功能向高级功能发展；,3）功能材料和器件的一体化、高集成化、超微型化、高密积化和超分子化；4）功能材料和结构材料兼容，即功能材料结构化，结构材料功能化；5）进一步研究和发展功能材料的新概念、新设计和新工艺；6）完善和发展功能材料检测和评价的方法；7）加强功能材料的应用研究，扩展功能材料的应用领域，加强推广成熟的研究成果，以形成生产力。,主要内容,电功能材料磁功能材料热功能材料光功能材料其它功能材料简介,第二节 导电功能材料,以特殊的电学性能或各种电效应作为主要性能指标的一类材料。,半导体材料,超导材料,电接点（触头）材料,导电材料,电阻材料,第一节 固体导电性,一、自由电子论(P. Drude , A. Lorentz)ne2L/2mv价电子参与导电无法解释低价金属导电性好？量子自由电子论（A. Sommerfeld)只有费米面的电子导电n为有效电子数无法解释电导率与温度的关系，导电性各向异性,二、能带理论能带：指晶体中电子能量的本征值即不像孤立原子明显分立的电子能级，也不像无限空间中自由电子所具有连续能级。满带：所有能级全部被电子添满。空带：所有能级全部都是空的。导带：部分电子的未满带价带：导带以下的第一个满带。,导体：除了满带和空带外，还存在未满带绝缘体：没有未满带，更高能级全部为空带。半导体：能带添充同绝缘体，但能隙小。,、近代电导理论晶格振动产生能量（热）声子。晶格振动形成的声子与电子发生相互作用引起电子散射，产生电阻。另外：晶体中的杂质和缺陷也引起电子散射，产生电阻。 (T)=0+T (TD) (T)=0+ T (T D)D德拜温度：当高于一特定温度后，摩尔热容接近一个常数（25J/mol K).低于此温度摩尔热容与T3成正比。,导电材料的分类,按导电机理可分为：电子导电材料和离子导电材料两大类。 电子导电材料包括导体、超导体和半导体：,电导率 S/m,绝缘体,半导体,导体,超导体：,离子导电材料的导电机理源于离子的运动，由于离子的运动速度远小于电子的运动速度，因此其电导率较小，目前最高不超过102 S/m ，一般在100 S/m以下。,导体电阻率公式,电阻率公式：,i取决于晶格缺陷的多少，缺陷越多， i越大，一般与温度无关；T取决于晶格的热振动。,电阻率随着温度升高而升高，这是导体的一个特征。,导体材料的种类,导体材料按照化学成分主要有以下三种：（1）金属材料。电导率在107108 S/m之间； 银（6.63 107 S/m ）、铜（5.85 107 S/m ）和 铝 （3.45 107 S/m ）（2）合金材料。电导率在105107 S/m之间； 黄铜（1.60 107 S/m ）， 镍铬合金（9.30 105S/m ）（3）无机非金属材料。电导率在105108 S/m之间。 石墨在基晶方向为2.5106 S/m。,金属导电材料,1、导电引线材料Au, Ag, Cu, Al,Fe合金:AlMg, AlMgSiFe,AlMgCuFe、导体布线材料薄膜导体材料：贵金属薄膜，复合薄膜材料,电阻材料,、精密电阻合金MnCu,康铜，性能（）低的电阻温度系数。（）良好的耐磨性和抗氧化性（）良好的加工性能和力学性能（）可焊性好、电热电阻材料CuNi，NiCrFe,NiCr，NiCrAl,FeCrAl3、热敏电阻材料较大电阻温度系数NiCr,NiCrFe4、膜电阻材料厚膜电阻：厚膜杂化制造加工薄膜电阻：溅射、蒸发等真空镀膜制成。,导体材料的应用,金属导体材料主要用作：电缆材料、电机材料、导电引线材料、导体布线材料、辐射屏蔽材料、电池材料、开关材料、传感器材料、信息传输材料、释放静电材料和接点材料等，还可以作成各种金属填充材料和金属复合材料。 合金导体材料主要用作电阻材料和热电偶材料，如铂铑-铂热电偶等。非金属导体材料主要用作耐腐蚀导体和导电填料。,半导体材料,半导体材料导电性能介于金属和绝缘体之间；（10-7104）具有负的电阻温度系数。（导体具有正的电阻温度系数）,基本概念,当大量原子结合成晶体时（如，1019个原子大约可形成1mm3的晶体）由于相邻原子电子云相互交叠，对应于孤立原子中的每一能级都将分裂成有一定能量宽度的能带。,（1）能带 Energy Band,（一）半导体的能带结构,(2) 带隙 Band Gap,能带之间的区域,（3）禁带 Forbidden Band,带隙不存在电子的能级,（4）价带 Valence Band,对应价电子能级的能带,(5) 空带 Empty Gap,价带上面的能带,（6）导带 Conduction Band,最靠近价带的空带,（7）满带 Filled Band,价带被电子填满,导体的能带中都有末被填满的价带，在外电场的作用下，电子可由价带跃迁到导带，从而形成电流。绝缘体的能带结构是满带与导带之间被一个较宽的禁带所隔开，在常温下几乎很少有电子可以被激发越过禁带，因此其电导率很低。,半导体能带结构下面是价带，其价带是充满了电子，因此是一个满价带。上面是导带，而导带是空的。满价带和空导带之间是禁带，其禁带宽度比较窄，一般在1ev左右。价带中的电子受能量激发后，如果激发能大于Eg，电子可以从价带跃迁到导带上，同时在价带中留下一个空的能级位置-空穴。,半导体的导电机理,半导体价带中的电子受激发后从满价带跃到空导带中，跃迁电子可在导带中自由运动，传导电子的负电荷。同时，在满价带中留下空穴，空穴带正电荷，在价带中空穴可按电子运动相反的方向运动而传导正电荷。因此，半导体的导电来源于电子和空穴的运动，电子和空穴都是半导体中导电的载流子。,（二）典型半导体材料及其应用,1. 元素半导体,高纯度、无缺陷的元素半导体。杂质浓度小于10-9,在本征半导体中有意加入少量的杂质元素，以控制电导率，形成杂质半导体。,本征半导体广泛研究的元素是Si、Ge和金刚石。金刚石可看作是碳元素半导体，它的性质是1952年由Guster发现的。除了硅、锗、金刚石外，其余的半导体元素一般不单独使用。 因为本征半导体单位体积内载流子数目比较少，需要在高温下工作电导率才大，故应用不多。,杂质半导体,利用将杂质元素掺入纯元素中，把电子从杂质能级（带）激发到导带上或者把电子从价带激发到杂质能级上，从而在价带中产生空穴的激发叫非本征激发或杂质激发。这种半导体叫杂质半导体。杂质半导体本身也存在本征激发，一般杂质半导体中掺杂杂质的浓度很低，如十亿分之一就可达到目的。,掺杂原子的价电子多于纯元素的价电子，又称施主型半导体,掺杂原子的价电子少于纯元素的价电子，又称受主型半导体,杂质半导体,n型半导体（电子型，施主型） A族元素（C、Si、Ge、Sn）中掺入以VA族元素（P、As、Sb、Bi）后，造成掺杂元素的价电子多于纯元素的价电子，其导电机理是电子导电占主导，这类半导体是n型半导体。p型半导体（空穴型，受主型） A族元素（C、Si、Ge、Sn）中掺入以A族元素（如B）时，掺杂元素的价电子少于纯元素的价电子，它们的原子间生成共价键以后，还缺一个电子，而在价带其中产生空穴。以空穴导电为主，掺杂元素是电子受主，这类半导体是p型半导体。,杂质半导体的能带结构,N型半导体逾量电子处于施主能级，施主能级与导带底能级之差Ed远小于禁带宽度Eg（相差近三个数量级）。因此，杂质电子比本征激发更容易激发到导带。例如Si掺杂十亿分之一As时，其Eg为1.610-19 J，Ed为6.410-21 J。Ge掺杂十亿分之一Sb时，其Eg为1.1510-19 J，Ed为1.610-21 J。,P型半导体逾量空穴处于受主能级。由于受主能级与价带顶端的能隙Ea远小于禁带宽度Eg，价带上的电子很容易激发到受主能级上，在价带形成空穴导电。,2. 化合物半导体,二元化合物 GaAs（砷化镓）、CdS镉、SiC、GeS锗、AsSe3硒等。三元化合物 AgGeTe2、AgAsSe2、CuCdSnTe4等（碲）,GaAs,制备,发光二极管,隧道二极管,3. 固溶体半导体,由两种或多种元素或化合物互溶而成的。二元系固溶体半导体 Bi-Sb三元系固溶体半导体 （碲镉汞）Hg1-xCdxTe （镓砷磷）GeAs1-xPx,最重要的红外探测器材料,用于高速响应器件、光通信等,半导体材料的应用,1、半导体材料在集成电路上的应用：最早用锗单晶制造二极管和三极管；现在发展硅器件，以硅单晶为基材的集成电路在电子器件中占主导地位。化合物半导体砷化镓做微波、超高频晶体管等；2、半导体在光电子器件、微波器件和电声耦合器上的应用：发光管、激光器、光电池、光集成等；3、半导体材料在传感器上的应用：半导体传感器,二、超导材料,超导材料的定义,1911年荷兰Leiden大学Kamerlingh Onnes 在研究极低温度下金属导电性时发现，当温度降到4.2K时，汞的电阻率突然降低到接近于零。这种现象称为汞的超导现象。从此，超导材料的研究引起了广泛的关注，现已发现了上千种超导材料。定义： 超导电现象：材料的电阻随温度降低而减小并最终出现零电阻的现象。 超导体：低于某一温度出现超导电性的物质。,（一）超导体的基本特性,特性一：完全导电性（零电阻） File和Mills利用精确核磁共振方法测量超导电流产生的磁场，来研究螺线管内超导电流的衰变，得出的结论是超导电流的衰变时间不短于10万年。,特性二：完全抗磁性 处于超导状态的金属，不管其经历如何，磁感应强度B始终为零。这一现象为迈斯纳（Meissner）1933年发现，称为迈斯纳效应。,磁力线不能进入超导体内部,超导体的基本特性,特性三：临界温度（Tc）、临界磁场（Hc）、临界电流JC是约束超导现象的三大临界条件。,当温度超过临界温度时，超导态就消失；同时，当超过临界电流或者临界磁场时，超导态也会消失，三者具有明显的相关性。只有当上述三个条件均满足超导材料本身的临界值时，才能发生超导现象（由Tc、Hc，Jc形成的闭合曲面内为超导态）。,超导体的基本特性,特性四：约瑟夫森（B D Josephson）效应 （承担超导电的超导电子还可以穿越极薄绝缘体势垒）,经典力学中，若两个区域被一个势垒隔开，则只有粒子具有足够的能量时，其才会从一个区域进入另一个区域。量子力学中，粒子具有足够的能力不再是一个必要条件，一个能量不太高的粒子也可能会以一定的概率“穿过”势垒，即所谓的“隧道效应”。（约瑟夫森语言并被后人证实）,超导体的种类（按迈斯纳效应分）,按照迈斯纳（Meissner）效应分类：第一类超导体和第二类超导体,第一类超导体（软超导体）当H HC 时，BH第一类超导体只有一个临界磁场，即HC 只有一个特征值。除钒、铌、钌外，元素超导体都是第一类超导体,超导体的种类（按迈斯纳效应分）,第二类超导体（硬超导体）当H HC2 时，BH,钒、铌以及大多数合金或化合物超导体均属于第二类,（二）超导材料,元素超导体合金超导体金属间化合物超导体陶瓷超导体高分子超导体,在低温常压下，具有超导特性的化学元素共有26种，由于临界温度太低，无太大实用价值,Nb的Tc最高，仅为9.26K,1. 元素超导体,合金超导体合金超导体是机械强度最高、应力应变较小、磁场强度低、临界电流密度高的超导体，在早期得到实际应用。超导合金主要有Ti-V、Nb-Zr、Mo-Zr、Nb-Ti等合金系，其中Ge-Nb3的临界温度最高（23.2K）。金属间化合物超导体金属间化合物超导体的临界温度与临界磁场一般比合金超导体的高，但此类超导体的脆性大，不易直接加工成带材或线材。,1986年发现了陶瓷超导体，使超导材料获得了更高的临界温度，如YBaCuO（Tc90K）、TiBaCaCuO（Tc120K）等。最大缺点为脆性大，加工困难。高温超导材料：Tc77K（液N温度）,陶瓷金超导体,中国制造 Made in China,2002年1月 长116m，宽3.6mm，厚0.28 mm 铋系高温超导带材试制成功。2002年4月 340m 长的铋系高温超导导线试制成功。 已达到了国际先进水平,高分子超导体,高分子材料通常为绝缘体，但在数亿帕气压作用下也可以转变成为超导体。如：四硫富瓦稀四腈代对苯醌二甲烷目前高分子超导体的最高临界温度仅仅达到10K,（三）超导材料的应用,超导的应用，基本上可以分为强电强磁和弱电弱磁两大类。（1）超导强电强磁应用 主要基于超导体的零电阻特性和完全抗磁性以及非理想第二类超导体所特有的高临界电流密度和高临界磁场。 主要应用在电力方面如超导电缆、超导磁体（如超导磁悬浮列车）、巨大环形超导磁体、超导磁分离等。,（2）超导弱电弱磁的应用 基于Josephson效应为基础，建立极灵敏的电子测量装置为目标的超导电子学，发展了低温电子学。如超导量子干涉器件是一种高灵敏度的测量装置，主要功能是测量磁场。它可以在电工仪表、医学、生物、资源开发、环境保护、固体材料、地球物理等领域应用。,1. 电力输送与储存目前有大约30%的电能损耗在输电线路上，采用超导体输电，可大大减少损耗，且省去了变压器和变电所。使用巨大的超导线圈，经供电励磁产生磁场而储存能量。超导磁储能系统所存能量几乎可以无损耗的储存下去，其转换率可高达95%。,超导材料的应用实例,2. 磁流体发电,化学能,热能,机械能,电能,火力发电,热能,电能,磁流体发电,3. 磁悬浮列车,时速 400 500km.,4. 超导计算机,速度是计算机永远追求的主题,三、电接点（触头）材料,电接点是建立和解除电接触的导电构件，广泛应用于电力系统、电器装置，仪器仪表、电信和电子设备。按电负荷的大小，电接点分为：强电、中电和弱电。,（一） 强电接点材料,电负荷大，要求电接点材料：接触电阻低、耐电蚀、耐磨损、高的耐电压强度、良好的来电弧能力，一定的机械强度。一般采用合金材料。,空气开关接点材料 银系合金 ： Ag-CdO、 Ag-Fe、Ag-W、Ag-石墨等。 铜系合金 如：Cu-W、 Cu-石墨真空开关接点材料 Cu-Bi-Ce、 Cu-Fe-Ni-Co-Bi、 W-Cu-Bi-Zr合金等,（二）弱电接点材料,弱电接点电负荷及机械负荷都很小，要求接点材料有极好的导电性、极高的化学稳定性、良好的抗电火花烧损性和耐磨性。大多用贵金属合金材料。,常用的弱电接点材料有：Au系 （金）Ag系 （银）Pt系（铂）Pd系（钯）,（三）复合接点材料,通过合理工艺将贵金属接点材料与非贵金属基体材料结合在一起，国外90%以上的弱电接点采用复合接点材料。,磁功能材料,第三章 磁性功能材料,磁性功能材料 磁性材料指那些有实际工程意义具有较强磁性的材料。是最古老的功能材料。公元前几世纪人类就发现自然界中存在天然磁体，磁性(Magnetism)一词就因盛产天然磁石的Magnesia地区而得名。早期的磁性材料主要是软铁、硅钢片、铁氧体等。二十世纪六十年代起，非晶态软磁材料、纳米晶软磁材料、稀土永磁材料等一系列的高性能磁性材料相继出现。磁性材料广泛应用于计算机及声像记录用大容量存储装置如磁盘、磁带，电工产品如变压器、电机，以及通讯、无线电、电器和各种电子装置中，是电子和电工工业、机械行业和日常生活中不可缺少的材料之一，,本章主要内容 磁学理论 物质的磁性、磁性的基本物理量 磁性材料分类 软磁材料、永磁材料、半硬磁 材料 磁性材料的基本性能与应用,第三章 磁性功能材料,简介,磁性是物质的基本属性之一。磁性现象是与各种形式的电荷运动相关联的，由于物质内部的电子运动和自旋会产生一定大小的磁场，因而产生磁性。一切物质都具有磁性。但磁性材料通常是指那些在实际工程意义上具有较强磁性的材料。磁性材料是电子工业的重要基础功能材料，广泛应用于计算机、电子器件、通讯、汽车和航空航天等工业领域，随着世界经济和科学技术的迅猛发展，磁性材料的需求将空前广阔。当前我国磁性材料的发展居世界之首，已经成为世界上永磁材料生产量最大的国家。,基本概念,“磁”来源于电。一个环形电流在其运动中心产生的磁矩为P=is，i为电流强度，s为环形回路所包围的面积。 原子内的电子做循轨运动和自旋运动，这必然产生磁矩，产生的磁矩分别称为轨道磁矩P1和自旋磁矩Ps。 原子核虽然也产生磁矩，但它的值比电子磁矩小三个数量级，一般情况下可忽略不计。因此，原子磁矩的产生是电子的循轨运动、电子自旋这二者组合的结果。,基本概念,磁场强度（H）：指空间某处磁场的大小，单位：安/米；磁化强度（M）：物质的磁性来源于内部的磁矩，只有当内部磁矩同向有序排列时才对外显示强磁性。单位体积内磁矩矢量和称为M，单位：安/米；磁感应强度（B）：物质在外磁场作用下，其内部原子磁矩的有序排列还将产生一个附加磁场。在磁性材料内部外加磁场与附加磁场的和，称为磁感应强度。B=0(H+M) ，0是一个系数，叫做真空磁导率。磁感应强度又称为磁通密度，单位是特斯拉（T）；磁导率（） ：=B/H，是磁化曲线上任意一点上B和H的比值。导磁率实际上代表了磁性材料被磁化的容易程度，或者说是材料对外部磁场的灵敏程度；磁化率（ ）：磁化强度与磁场强度的比值， = M /H。,磁滞回线,在外加磁场的作用下磁体会被磁化，磁体内部的磁感应强度B随外磁场H的变化是非线性的，当H减少为零时，B并未回到零值，出现剩磁Br。磁感应强度滞后于磁场强度变化的性质称为磁滞性。图为磁性物质的磁滞曲线；要使剩磁消失，通常需进行反向磁化。将 B=0时的 H 值称为矫顽磁力 Hc；Br称为剩余磁感应强度， Bs称为最大磁感应强度（饱和磁感应强度）。,3. 1 磁学基础物质的磁性,(一) 物质的磁性将一个面积为（A) 、通有电流（Is)的环型导体放入磁场中，该环型导体将会在磁场（H)的作用下发生偏转，即环型导体受到力矩的作用。力矩（M)的大小可由下式表示： M Is x A x H 定义Pm= Is x A为通过电流为Is、面积为A的环型导体的磁矩。,Is,I,原子内的电子做循轨运动和自旋运动，所以必然产生磁矩。前者称为轨道磁矩，后者称为自旋磁矩。电子的循轨磁矩 Pl = 电子的自旋磁矩 Ps = e：单位电荷；h:普朗克常数；m:电子质量；l:轨道量子数；s:自旋量子数。原子核的磁矩比电子磁矩小三个数量级，一般情况下可忽略不计。,3. 1 磁学基础物质的磁性,物质磁性具有普遍性,3. 1 磁学基础物质的磁性,电子的循轨磁矩,电子的循轨磁矩,原子磁矩,物质磁性,原子磁矩,物质表现何种磁性,原子磁矩间相互作用,外加磁场的作用,3. 1 磁学基础物质的磁性,细菌细胞中的磁力线,200nm的Co粒子中的磁力线,3. 1 磁学基础物质的磁性,磁场强度：电流强度为 I 的电流在一个每米有N匝线圈的无限长螺旋管轴线中央产生的磁场强度 H 为： H = N x I A/m （安/米）距离永磁体r处的磁场强度 H 为： H = km1r0/r2 H/m（亨利/米）m1为磁极的磁极强度，单位为Wb(韦伯)；r0是r的矢量单位；磁化强度(M ):单位体积磁性材料内各磁畴磁矩的矢量和，单位为A/m。磁感应强度(B ):物质在外磁场作用下，其内部原子磁矩的有序排列还将产生一个附加磁场。在磁性材料内部外加磁场与附加磁场的和,单位为T（特斯拉）。,（二）基本磁性参量,B=H+M,3. 1 磁学基础物质的磁性,磁导率和磁化率在真空中磁感应强度B与磁场强度H间的关系为： B=0H 在磁性材料中： B=0（H+ M） 在均匀的磁性材料中，上式的矢量和可改成代数和： B=0（H+M） 磁性材料的磁导率定义为磁感应强度与磁场强度之比： =B/H 0 : 真空磁导率; : 绝对磁导率，单位为 H/m，r: 相对磁导率 r =/0 磁化率定义为磁化强度与磁场强度之比： = M/H,(三）物质磁性的分类,3. 1 磁学基础物质的磁性,物质磁性分类,顺磁性,被磁化后，磁化场方向与外场方向相同，： 1 104,铁磁性,被磁化后，磁化场方向与外场方向相同，：10-3-10-6,被磁化后，磁化场方向与外场方向相反，： （10-5 10-6 ）,抗磁性,与外加磁场的关系,顺磁性起因于原子或分子磁矩，在外加磁场作用下趋于沿外场方向排列，使磁质沿外场方向产生一定强度的附加磁场。顺磁性是一种弱磁性。顺磁性材料多用于磁量子放大器和光量子放大器，在工程上的应用极少。顺磁金属主要有Mo，Al，Pt，Sn等。,3. 1 磁学基础物质的磁性,抗磁性是由于外磁场作用下，原子内的电子轨道绕场向运动，获得附加的角速度和微观环形电流，从而产生与外磁场方向相反的感生磁矩。原子磁矩叠加的结果使宏观物质产生与外场方向相反的磁矩。由于属于此类的物质有C，Au，Ag，Cu，Zn，Pb等。,3. 1 磁学基础物质的磁性,H,m,m,Dm,k,k,Dk,Dk,Dm,产生抗磁性的原理,m：磁矩,Dm ：附加磁矩,Dk ：附加向心力,k：向心力,抗磁性具有普遍性,物质是否表现出抗磁性要看物质的抗磁场是否大于其顺磁场,物质内部原子磁矩的排列a:顺磁性 b:铁磁性 c:反铁磁性 d:亚铁磁性,3. 1 磁学基础物质的磁性,由于原子间的交换作用使原子磁矩发生有序的排列，产生自发磁化，铁磁质中原子磁矩都平行排列 （在绝对零度时),3. 1 磁学基础物质的磁性,铁磁质：磁矩的有序排列随着温度升高而被破坏，温度达到居里温度（Tc）以上时有序全部被破坏，磁质由铁磁性转为顺磁性。 Tc是材料的M-T曲线上MS20对应的温度。顺磁质：朗之万（Langevin）顺磁性： 磁化率服从居里(Curie)定律，即：=c/T。泡利（Pauli）顺磁性： 服从居里-外斯（Curie-Weiss）定律，即：=C/(T-Tc)。,（四）温度对物质磁性的影响,Tc,3. 1 磁学基础物质的磁性,(四）磁各向异性 磁性材料在不同方向上具有不同磁性能的特性。包括：磁晶各向异性，形状各向异性，感生各向异性和应力各向异性等。,单晶体的易磁化和难磁化方向,3. 1 磁学基础物质的磁性,（五）磁致伸缩磁性材料磁化过程中发生沿磁化方向伸长(或缩短)，在垂直磁化方向上缩短(或伸长)的现象，叫做磁致伸缩。它是一种可逆的弹性变形。材料磁致伸缩的相对大小用磁致伸缩系数表示，即 ： =l/l 式中， l和l分别表示磁场方向的绝对伸长与原长。在发生缩短的情况下，l为负值，因而也为负值。当磁场强度足够高，磁致伸缩趋于稳定时，磁致伸缩系数称为饱和磁致伸缩系数，用s表示。 对于3d金属及合金:s约为 10-510-6。,3. 1 磁学基础磁化过程与技术 磁参量,(一) 磁畴结构在铁磁性材料中，原子磁矩平行排列，以使交换作用能最低。但大量原子磁矩的平行排列增大了体系的退磁能，因而使一定区域内的原子磁矩取反平行排列，出现了两个取向相反的自发磁化区域，降低退磁能，直至形成封闭畴。每一个磁矩取向一致的自发磁化区域就叫做一个磁畴。,立方结构单晶铁磁材料的磁畴结构示意图,3. 1 磁学基础磁化过程与技术 磁参量,Co中的磁畴结构,磁畴结构包括磁畴和畴壁两部分。磁畴的体积为10-110-6cm3。畴壁是指磁畴交界处原子磁矩方向逐渐转变的过渡层,3. 1 磁学基础磁化过程与技术 磁参量,畴壁,布洛赫(Bloch)磁畴壁,畴壁两侧的原子磁矩的旋转平面与畴壁平面平行，两个畴的磁化方向相差180,奈耳（Neel）磁畴壁,畴壁内原子磁矩的旋转平面与两磁畴的磁矩在同一平面平行于界面,3. 1 磁学基础磁化过程与技术 磁参量,布洛赫,奈尔壁,3. 1 磁学基础磁化过程与技术 磁参量,磁化过程：磁性材料在外磁场作用下由宏观的无磁状态转变为有磁状态的过程。磁化是通过磁畴的运动来实现。,（二）磁畴移动与磁化过程,受外磁场作用时，畴内整齐排列在易磁化方向上原子磁矩一致地偏离易磁化方向而向外磁场方向转动。外场愈强，材料的磁各向异性愈弱，则磁矩就愈偏向外场方向。,运动方式,转动,移动,各磁畴内部的磁矩平行或反平行于外加磁场，不受这一磁场的力矩。而畴壁附近的磁矩方向发生改变，使畴壁产生横向移动。,3. 1 磁学基础磁化过程与技术 磁参量,畴壁的移动,磁畴的转动,3. 1 磁学基础磁化过程与技术 磁参量,（三）磁化曲线,磁化过程四阶段：,（1） M随H呈线性地缓慢增长，可逆畴壁移动过程。（2） M随H急剧增长，不可逆畴壁移动过程，的巴克豪森（Barkhausen）跳跃。（3）M的增长趋于缓慢。磁畴的磁化矢量已转到最接近H方向，M的增长主要靠可逆转动过程来实现。（4）磁化曲线极平缓地趋近于水平线而达到饱和状态。,3. 1 磁学基础磁化过程与技术 磁参量,(四）磁性材料的技术磁参量,技术磁参量,内禀磁参量: MS、Tc,外禀磁参量: Hc、Mr或Br、磁导率、损耗、磁能积,MS: 饱和磁化强度Hc：矫顽力Mr或Br：剩磁,主要取决于材料的化学成分,对材料结构（如晶粒尺寸、晶体缺陷、晶粒取向等）敏感，可以通过适当的工艺改变,损耗： 软磁材料磁化一周总的能量损耗W，由涡流损耗，磁滞损耗Wh和剩余损耗Wr三部分组成，通常以每公斤材料损耗的功率表示，即: W=We+Wh+Wr We：在交变磁化条件下，材料垂直于磁场的平面内产生的涡流引起发热产生的损耗。循环磁化一周的涡流损耗与材料的电阻率、厚度D、磁感变化幅度Bm关系如下: WeD2Bm2/ Wh：在循环磁化条件下，材料每循环磁化一周所消耗的能量，它也以热的形式表现出来，其大小与磁滞回线的面积呈正比。Wr ：从总损耗中扣除涡流损耗和磁滞损耗所剩的部分,3. 1 磁学基础磁化过程与技术 磁参量,3. 1 磁学基础磁化过程与技术 磁参量,磁能积（BH） ：磁铁在气隙空间所建立的磁能量密度。永磁体均在开路状态下使用，作为磁场源或动作源。主要作用是在磁铁的两磁极空间(或称空气隙)产生磁场Hg。Hg=(BmHmVm/0Vg)1/2 式中Vm、Bm和Hm分别是磁铁的体积、磁感强度和磁场强度，Vg、Hg是气隙的体积和磁场强度。磁场强度（ Hg）除与磁体的体积及气隙体积有关外，主要取决于磁体的磁能积（BH） 。最大磁能积（BH）max：退磁曲线上磁能积最大的一点，工程应用中通常将(BH)max称为磁能积。,对通常的永磁体的应用而言，Hg越大越好。因此、在设计磁铁时，应使其工作点在图中的D点附近。同时、(BH)max越大，Hg也越大。 (BH)max越高，所需要的磁体体积就越小 (BH)max的大小取决于磁感矫顽力Hc、剩磁Br和隆起系数，即:(BH)max =BrHCB,3. 1 磁学基础磁化过程与技术 磁参量,永磁材料的退磁曲线与磁能积(密度)曲线,3. 1 磁学基础磁化过程与技术 磁参量,磁滞回线族,3. 1 磁学基础磁化过程与技术 磁参量,（五）磁性材料的稳定性,衡量磁性材料的磁参量随外界因素作用产生的变化，主要考虑Br和Hc。（1）温度稳定性：磁性能随温度的变化。（2）时间稳定性：在某一特定工作环境下长期工 作过程中磁性随时间的变化。 （3）化学稳定性：在腐蚀介质的环境中磁性随时 间的变化。,显微组织变化引起的组织时效,性能不稳定的原因,磁畴结构变化引起的磁时效,可逆，再次充磁时材料能恢复原来的磁性,不可逆,3. 1 磁学基础磁性材料分类,按矫顽力分类,软磁材料,半硬磁材料,硬（永）磁材料,Hc100A/m(1.25 Oe),Hc :1001000A/m(1.2512.5Oe),Hc1000A/m(12.5Oe),按用途分类,铁芯材料,磁记录材料,磁头材料,磁致伸缩材料,磁屏蔽材料,变压器、继电器,录音机,通讯仪器、电器,磁带、磁盘,传感器,磁性材料的分类,根据滞回曲线和磁化曲线的不同，分成三类：,(1)软磁材料其矫顽磁力较小，磁滞回线较窄。(铁心),(2)硬磁材料其矫顽磁力较大，磁滞回线较宽。(磁铁),(3)矩磁材料其剩磁大而矫顽磁力小，磁滞回线为矩形。(记忆元件),3. 1 磁学基础磁性材料分类,主要磁性材料分类,3. 2 软磁材料,用途：发电机、电动机、变压器、电磁铁、各类继电器与电感、电抗器的铁心；磁头与磁记录介质；计算机磁心等。要求：高的饱和磁感应强度、高的最大磁导率、高的居里温度和低的损耗。分类：高磁饱和材料，中磁饱和中导磁材料，高导磁材料，高硬度、高电阻、高导磁材料，矩磁材料，恒磁导率材料，磁温度补偿材料，磁致伸缩材料。,软磁材料,定义：指在外磁场作用下，很容易磁化，去掉外磁场时又很容易去磁的磁性材料。,软磁材料的特性高的磁导率和磁感应强度；矫顽力和磁滞损耗低；（矫顽力一般小于1kA/m）电阻率较高，反复磁化和退磁时产生的涡流损耗小。,3. 2 软磁材料铁芯材料,用途：变压器、电机与继电器的铁(磁)心。要求：低的矫顽力、高的磁导率和低的铁损。主要材料：高磁饱和材料(Bs为2T左右)，如工业纯铁、电工硅钢片、非晶态软磁合金和铁钴合金；中磁饱和中导磁材料；高导磁材料如坡莫合金等；恒磁导率材料；以及铁粉心型材料与氧化物粉心材料等,（一） 工业纯铁资源丰富、价格低廉，具有良好的可加工性。早在1890年热轧纯铁就用于制造电机和变压器铁芯。是直流技术中非常重要的高磁饱和材料，主要用于制造电磁铁的铁心、极头与极靴；继电器和扬声器的磁导体；电话机的振动膜；电工仪器仪表及磁屏蔽元件等。,3. 2 软磁材料非晶态、微晶与纳米 晶软磁合金,最常见的是电磁纯铁，名称为电铁(代号DT)，含碳量低于0.04%的Fe-C合金，Bs达2.15T，其供应状态包括锻材、管材、圆棒、薄片或薄带等。,去应力退火：消除加工应力。保护条件下860930，保温4小时后随炉冷却。去除杂质处理：纯铁中的杂质（ C，Mn，Si，P，S，N等）会显著降低材料的磁导率和矫顽力。通过去杂质退火处理来降低材料中杂质的含量。在纯干燥氢气或真空(10-2帕以下)中，于12001300温度保温510小时。,3. 2 软磁材料铁芯材料,工业纯铁的热处理：纯铁材在加工成元件后必须经过热处理才能获得好的软磁性能,3. 2 软磁材料铁芯材料,人工时效处理：克服纯铁严重的自然磁时效现象，为保持纯铁元件的磁稳定性，须在热处理后进行100，保温100小时的人工时效处理。或选择低时效敏感性的材料。,纯铁的自然磁时效现象：即随着时间的增长，材料的矫顽力上升，磁导率下降。纯铁的时效在130附近特别明显。引起时效的原因是由于在Fe中含有N，逐渐形成铁的氮化物所致。,纯铁的缺点：电阻率低，使用时产生很大的涡流损耗，不适于制作在交变场中工作的铁心。,3. 2 软磁材料铁芯材料,（二）电工硅钢片（Fe-Si软磁合金）,铁中加Si的作用：可提高铁的最大磁导率，增大电阻率，还可显著改善磁性时效。但Si加入量过多时，会降低饱和磁化强度、居里温度、磁晶各向异性常数K1、磁致伸缩系数含Si量的增大会使材料变脆。,电工硅钢片中Si的含量在0.54.8%Si。1903年开始投入实际生产，用量极大。主要用于制造大电流、频率50400Hz的中、强磁场条件下的电动机、发电机、变压器等；中、弱磁场和较高频率(达10KHz)条件下的音频变压器、高频变压器、电视机与雷达中的大功率变压器、大功率磁变压器、以及各种继电器、电感线圈、脉冲变压器和电磁式仪表等；,3. 2 软磁材料铁芯材料,与热轧硅钢相比，冷轧硅钢的Bs高，其厚度均匀、尺寸精度高、表面光滑平整，从而提高了填充系数和材料的磁性能。冷轧带材的厚度可低至0.020.05mm。冷轧硅钢的含硅量不超过3.5%，否则的材料冷轧十分困难。近年来，用快速凝固技术可制备出含硅6.5%的硅钢薄带。,电工硅钢片,热轧硅钢片（DR）,冷轧无取向硅钢片（ DW）,冷轧单取向硅钢片（ DQ）,电讯用冷轧单取向硅钢片（ DG）,中国2002年底停止生产,3. 2 软磁材料铁芯材料,在冷轧单取向硅钢带中，晶粒整齐一致地排列成高斯(GOSS)织构，如图3-16示意，晶体的(110)面与轧制平面平行，易磁化的001轴在轧制方向上。垂直于轧制方向的是难磁化的110轴。最难磁化的111轴与轧制方向成54.79角。,冷轧单取向硅钢的晶粒取向,3. 2 软磁材料铁芯材料,单取向硅钢的优点：磁性具有强烈的方向性；在易磁化的轧制方向上具有优越的高导磁与低损耗特性。取向钢带在轧制方向的铁损仅为横向的1/3，磁导率比约为6:1，其铁损约为热轧带的1/2，磁导率为后者的2.5倍。,织构取向度的影响：取向度7o加微量Al等、形成AlN,可使范围减小，取向度3o,去应力退火处理：用硅钢片制成的电磁元件成型之后，应消除应力（800850，保温515min），恢复材料磁性,3. 2 软磁材料铁芯材料,纯铁中加入钴后，Bs明显提高，含钴35%的铁钴合金的Bs达2.45T，是迄今Bs最高的磁性材料。国外牌号为Permendur。在合金中加入少量的V和Cr可显著提高其电阻率。实际应用的铁钴合金主要有Fe64Co35V1(或Fe64Co35Cr1)和(Fe50Co50)98.7V1.3。(Fe50Co50)98.7V1.3合金的国内牌号为1J22，国外牌号为V-Permendur。,铁钴合金具有高的磁导和的Bs，适用于小型化、轻型化以及有较高要求的飞行器及仪器仪表元件的制备，制造电磁铁极头和高级耳膜震动片等。但电阻率偏低，不适于高频场合的应用。但价格昂贵。,（三）铁钴合金,3. 2 软磁材料铁芯材料,随Ni含量的增加，Fe-Ni合金的m增加、Bs下降。当Ni量接近80%时，Fe-Ni合金的K1和同时变为零，能获得高的磁导率。含w(Ni)3580%的Fe-Ni合金称为坡莫合金。根据Ni含量对合金磁性能的影响，Fe-Ni合金分为高导磁、恒导磁率、中磁饱和中磁导率材料等。,（四）Fe-Ni合金(坡莫合金，Permalloy),使用过程中应避免冲击、振动及其它力的作用。,3. 2 软磁材料铁芯材料,坡莫合金的热处理,避免超结构相Ni3Fe形成,NiFe在600以下的冷却过程中发生有序化转变形成Ni3Fe；不利于磁性能。,解决办法：600后急冷,易变形对应力敏感,加工后须退火120