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第5章 电力电子电路仿真分析,5.1 电力电子开关模块 5.2 桥式电路模块 5.3 驱动电路模块 习题,5.1 电力电子开关模块SIMULINK的SimPowerSystems库提供了常用的电力电子开关模块，各种整流、逆变电路模块以及时序逻辑驱动模块。SIMULINK库中的各种信号源可以直接驱动这些开关单元和模块，因此使用这些元件组建电力电子电路并进行计算机数值仿真很方便。为了真实再现实际电路的物理状态，MATLAB对几种常用电力电子开关元件的开关特性分别进行了建模，这些开关模型采用统一结构来表示，如图5-1所示。,图5-1 电力电子开关模块,图5-1中，开关元件主要由理想开关SW、电阻Ron、电感Lon、直流电压源Vf组成的串联电路和开关逻辑单元来描述。电力电子元件开关特性的区别在于开关逻辑和串联电路参数的不同，其中开关逻辑决定了各种器件的开关特征；模块的串联电阻Ron和直流电压源Vf分别用来反映电力电子器件的导通电阻和导通时的电压降；串联电感Lon限制了器件开关过程中的电流升降速度，同时对器件导通或关断时的变化过程进行模拟。,由于电力电子器件在使用时一般都并联有缓冲电路，因此MATLAB电力电子开关模块中也并联了简单的RC串联缓冲电路，缓冲电路的阻值和电容值可以在参数对话框中设置，更复杂的缓冲电路则需要另外建立。有的器件(如MOSFET)模块内部还集成了寄生二极管，在使用中需要加以注意。,由于MATLAB的电力电子开关模块中含有电感，因此有电流源的性质，在没有连接缓冲电路时不能直接与电感或电流源连接，也不能开路工作。含电力电子模块的电路或系统仿真时，仿真算法一般采用刚性积分算法，如ode23tb、ode15s，这样可以得到较快的仿真速度。如果需要离散化电路，必须将电感值设为0。电力电子开关模块一般都带有一个测量输出端m，通过它可以输出器件上的电压和电流值，不仅观测方便，而且可以为选择器件的耐压性能和电流提供依据。,5.1.1 二极管模块1. 原理与图标图5-2所示为二极管模块的电路符号和静态伏安特性。当二极管正向电压Vak大于门槛电压Vf时，二极管导通；当二极管两端加以反向电压或流过管子的电流降到0时，二极管关断。,图5-2 功率二极管模块的电路符号和静态伏安特性(a) 电路符号；(b) 静态伏安特性,SimPowerSystems库提供的二极管模块图标如图5-3所示。,图5-3 二极管模块图标,2. 外部接口二极管模块有2个电气接口和1个输出接口。2个电气接口(a，k)分别对应于二极管的阳极和阴极。输出接口(m)输出二极管的电流和电压测量值Iak，Vak，其中电流单位为A，电压单位为V。3. 参数设置双击二极管模块，弹出该模块的参数对话框，如图5-4所示。在该对话框中含有如下参数：(1) “导通电阻”(Resistance Ron)文本框：单位为，当电感值为0时，电阻值不能为0。(2) “电感”(Inductance Lon)文本框：单位为H，当电阻值为0时，电感值不能为0。,图5-4 二极管模块参数对话框,(3) “正向电压”(Forward voltage Vf)文本框：单位为V，当二极管正向电压大于Vf后，二极管导通。(4) “初始电流”(Initial current Ic)文本框：单位为A，设置仿真开始时的初始电流值。通常将初始电流值设为0，表示仿真开始时二极管为关断状态。设置初始电流值大于0，表示仿真开始时二极管为导通状态。如果初始电流值非0，则必须设置该线性系统中所有状态变量的初值。对电力电子变换器中的所有状态变量设置初始值是很麻烦的事情，所以该选项只适用于简单电路。,(5) “缓冲电路阻值”(Snubber resistance Rs)文本框：并联缓冲电路中的电阻值，单位为。缓冲电阻值设为inf时将取消缓冲电阻。(6) “缓冲电路电容值”(Snubber capacitance Cs)文本框：并联缓冲电路中的电容值，单位为F。缓冲电容值设为0时，将取消缓冲电容；缓冲电容值设为inf时，缓冲电路为纯电阻性电路。(7) “测量输出端”(Show measurement port)复选框：选中该复选框，出现测量输出接口m，可以观测二极管的电流和电压值。,【例5.1】如图5-5所示，构建简单的二极管整流电路，观测整流效果。其中电压源频率为50 Hz，幅值为100 V，电阻R为1 ，二极管模块采用默认参数。解：(1) 按图5-5搭建仿真电路模型，选用的各模块的名称及提取路径见表5-1。,图5-5 例5.1的仿真电路图,表5-1 例5.1仿真电路模块的名称及提取路径,(2) 设置参数和仿真参数。二极管模块采用图5-4所示的默认参数。交流电压源Vs的频率等于50 Hz、幅值等于100 V。串联RLC支路为纯电阻电路，其中R=1 。打开菜单SimulationConfiguration Parameters，选择ode23tb算法，同时设置仿真结束时间为0.2 s。(3) 仿真及结果。开始仿真。在仿真结束后双击示波器模块，得到二极管D1和电阻R上的电流电压如图5-6所示。图中波形从上向下依次为二极管电流、二极管电压、电阻电流、电阻电压。,图5-6 例5.1的仿真波形图,5.1.2 晶闸管模块1. 原理与图标晶闸管是一种由门极信号触发导通的半导体器件，图5-7所示为晶闸管模块的电路符号和静态伏安特性。当晶闸管承受正向电压(Vak0)且门极有正的触发脉冲(g0)时，晶闸管导通。触发脉冲必须足够宽，才能使阳极电流Iak大于设定的晶闸管擎住电流I1，否则晶闸管仍要转向关断。导通的晶闸管在阳极电流下降到0(Iak=0)或者承受反向电压时关断，同样晶闸管承受反向电压的时间应大于设置的关断时间，否则，尽管门极信号为0，晶闸管也可能导通。这是因为关断时间是表示晶闸管内载流子复合的时间，是晶闸管阳极电流降到0到晶闸管能重新施加正向电压而不会误导通的时间。,图5-7 晶闸管模块的电路符号和静态伏安特性(a) 电路符号；(b) 静态伏安特性,(a),(b),SimPowerSystems库提供的晶闸管模块一共有两种：一种是详细的模块(Detailed Thyristor)，需要设置的参数较多；另一种是简化的模块(Thyristor)，参数设置较简单。晶闸管模块的图标如图5-8。,图5-8 晶闸管模块图标(a) 详细模块；(b) 简化模块,2. 外部接口晶闸管模块有2个电气接口、1个输入接口和1个输出接口。2个电气接口(a，k)分别对应于晶闸管的阳极和阴极。输入接口(g)为门极逻辑信号。输出接口(m)输出晶闸管的电流和电压测量值Iak，Vak，其中电流单位为A，电压单位为V。3. 参数设置双击晶闸管模块，弹出该模块的参数对话框，如图5-9所示。在该对话框中含有如下参数(以详细模块为例)：(1) “导通电阻”(Resistance Ron)文本框：单位为，当电感值为0时，电阻值不能为0。,图5-9 晶闸管模块参数对话框,(2) “电感”(Inductance Lon)文本框：单位为H，当电阻值为0时，电感值不能为0。(3) “正向电压”(Forward voltage Vf)文本框：晶闸管的门槛电压Vf，单位为V。 (4) “擎住电流”(Latching current I1)文本框：单位为A，简单模块没有该项。(5) “关断时间”(Turn-off time Tq)文本框：单位为s，它包括阳极电流下降到0的时间和晶闸管正向阻断的时间。简单模块没有该项。,(6) “初始电流”(Initial current Ic)文本框：单位为A，当电感值大于0时，可以设置仿真开始时晶闸管的初始电流值，通常设为0表示仿真开始时晶闸管为关断状态。如果电流初始值非0，则必须设置该线性系统中所有状态变量的初值。对电力电子变换器中的所有状态变量设置初始值是很麻烦的事情，所以该选项只适用于简单电路。,(7) “缓冲电路阻值”(Snubber resistance Rs)文本框：并联缓冲电路中的电阻值，单位为。缓冲电阻值设为inf时将取消缓冲电阻。(8) “缓冲电路电容值”(Snubber capacitance Cs)文本框：并联缓冲电路中的电容值，单位为F。缓冲电容值设为0时，将取消缓冲电容；缓冲电容值设为inf时，缓冲电路为纯电阻性电路。(9) “测量输出端”(Show measurement port)复选框：选中该复选框，出现测量输出端口m，可以观测晶闸管的电流和电压值。【例5.2】如图5-10所示，构建单相桥式可控整流电路，观测整流效果。晶闸管模块采用默认参数。,图5-10 例5.2的仿真电路图,解：(1) 按图5-10搭建仿真电路模型，选用的各模块的名称及提取路径见表5-2。,表5-2 例5.2仿真电路模块的名称及提取路径,(2) 设置模块参数和仿真参数。晶闸管的触发脉冲通过简单的“脉冲发生器”(Pulse Generator)模块产生，脉冲发生器的脉冲周期取为2倍的系统频率，即100 Hz。晶闸管的控制角a以脉冲的延迟时间t来表示，取a=30，对应的时间t=0.0230/360=0.01/6 s。脉冲宽度用脉冲周期的百分比表示，默认值为50%。双击脉冲发生器模块，按图5-11设置参数。晶闸管模块采用图5-9所示的默认设置。交流电压源Vs的频率等于50 Hz、幅值等于100 V。串联RLC支路为纯电阻电路，其中R=1 。,图5-11 例5.2的脉冲发生器模块参数设置,打开菜单SimulationConfiguration Parameters，选择ode23tb算法，同时设置仿真结束时间为0.2 s。(3) 仿真及结果。开始仿真。在仿真结束后双击示波器模块，得到晶闸管TH1和电阻R上的电流、电压如图5-12所示。图中波形从上向下依次为晶闸管电流、晶闸管电压、电阻电流、电阻电压和脉冲信号。,图5-12 例5.2的仿真波形图,5.1.3 可关断晶闸管模块1. 原理与图标可关断晶闸管(GTO)是通过门极信号触发导通和关断的半导体器件。与普通晶闸管一样，GTO可被正的门极信号(g0)触发导通。与普通晶闸管的区别是，普通的晶闸管导通后，只有等到阳极电流过0时才能关断，而GTO可以在任何时刻通过施加等于0或负的门极信号实现关断。图5-13(a)所示为GTO模块的电路符号。,图5-13 可关断晶闸管模块的电路符号和开关特性(a) 电路符号；(b) 开关特性,SIMULINK提供的GTO模块在端口电压大于门槛电压Vf且门极信号大于0(g0)时导通，在门极信号等于0或负(g0)时关断。但它的电流并不立即衰减为0，因为GTO的电流衰减过程需要时间。GTO的电流衰减过程对晶闸管的关断损耗有很大影响，所以在模块中考虑了关断特性。电流衰减过程被近似分为两段：当门极信号变为0后，电流从Imax下降到0.1Imax所用的下降时间Tf；从0.1Imax降到0的拖尾时间Tt。当电流Iak降为0时，GTO彻底关断。电流的下降时间和拖尾时间可以在参数对话框中设置。GTO模块的开关特性如图5-13(b)所示。SimPowerSystems库提供的GTO模块图标如图5-14所示。,图5-14 可关断晶闸管模块的图标,2. 外部接口GTO模块有2个电气接口、1个输入接口和1个输出接口。2个电气接口(a，k)分别对应于可关断晶闸管的阳极和阴极。输入接口(g)为门极输入信号。输出接口(m)输出GTO的电流和电压测量值Iak，Vak，其中电流单位为A，电压单位为V。3. 参数设置双击GTO模块，弹出该模块的参数对话框，如图5-15所示。该对话框中含有如下参数：,图5-15 可关断晶闸管模块参数对话框,(1) “导通电阻”(Resistance Ron)文本框：单位为，当电感值为0时，电阻值不能为0。(2) “电感 (Inductance Lon)文本框：单位为H，当电阻值为0时，电感值不能为0。(3) “正向电压”(Forward voltage Vf)文本框：GTO的门槛电压，单位为V。(4) “电流减小到10%时的下降时间”(Current 10% fall time Tf)文本框：单位为s。(5) “拖尾时间”(Current tail time Tt)文本框：从0.1Imax降到0的时间，单位为s。(6) “初始电流”(Initial current Ic)文本框：与晶闸管相同。,(7) “缓冲电路阻值”(Snubber resistance Rs)文本框：并联缓冲电路中的电阻值，单位为。缓冲电阻值设为inf时将取消缓冲电阻。(8) “缓冲电路电容值”(Snubber capacitance Cs)文本框：并联缓冲电路中的电容值，单位为F。缓冲电容值设为0时，将取消缓冲电容；缓冲电容值设为inf时，缓冲电路为纯电阻性电路。(9) “测量输出端”(Show Measurement port)复选框：选中该复选框，出现测量输出口m，可以观测GTO的电流和电压值。,【例5.3】如图5-16所示，构建降压变换器电路，观测降压效果。GTO模块采用默认参数。二极管去掉缓冲电路，控制信号频率为500 Hz，占空比为0.6。,图5-16 例5.3的仿真电路图,解：(1) 按图5-16搭建仿真电路模型，选用的各模块的名称及提取路径见表5-3。,表5-3 例5.3仿真电路模块的名称及提取路径,(2) 设置模块参数和仿真参数。双击脉冲发生器模块，按图5-17设置参数。双击二极管模块，按图5-18设置参数。可关断晶闸管模块采用图5-15所示的默认设置。直流电压源VDC的幅值等于100 V。串联RLC支路中，电阻R=1 ，电感L=0.5 mH，电容C=300 pF。打开菜单SimulationConfiguration Parameters，选择ode23tb算法，同时设置仿真结束时间为0.01 s。,图5-17 例5.3的脉冲发生器模块参数设置,图5-18 例5.3的二极管模块参数设置,(3) 仿真及结果。开始仿真。在仿真结束后双击示波器模块，得到可关断晶闸管G1和电阻R上的电流电压如图5-19所示。图中波形从上向下分别为脉冲信号、可关断晶闸管电流、可关断晶闸管电压、电阻电流和电阻电压。,图5-19 例5.3的仿真波形图,5.1.4 电力场效应晶体管模块1. 原理与图标电力场效应晶体管(MOSFET)是一种在漏极电流大于0时，受栅极信号(g0)控制的半导体器件。它具有开关频率高、导通压降小等特点，在电力电子电路中使用广泛。MOSFET一般有结型和绝缘栅型两种结构，但SimPowerSystems库中的MOSFET模块并不区分这两种模块，也没有P沟道和N沟道之分，仅反映了MOSFET的开关特性。MOSFET模块在门极信号为正(g0)且漏极电流大于0时导通，在门极信号为0时关断。如果漏极电流为负且门极信号为0，则MOSFET模块在电流过0时关断。,MOSFET模块上反向并联了一个二极管模块，当MOSFET模块反向偏置时二极管模块导通，因此在外特性上，正向导通时导通电阻是Ron，反向导通时导通电阻是二极管模块的内电阻Rd。MOSFET模块的电路符号及外特性如图5-20所示。,图5-20 电力场效应晶体管模块的电路符号及外特性(a) 电路符号；(b) 外特性,(a),(b),SimPowerSystems库提供的MOSFET模块的图标如图5-21所示。,图5-21 电力场效应晶体管模块的图标,2. 外部连接接口MOSFET模块有2个电气接口、1个输入接口和1个输出接口。2个电气接口(d，s)分别对应于MOSFET的漏极和源极。输入接口(g)为栅极控制信号。输出接口(m)输出MOSFET的电流和电压测量值Id，Vds，其中电流单位为A，电压单位为V。3. 参数设置双击MOSFET模块，弹出该模块的参数对话框，如图5-22所示。该对话框中含有如下参数：(1) “导通电阻”(Resistance Ron)文本框：单位为。,(2) “电感”(Inductance Lon)文本框：单位为H，电感值不能为0。(3) “内接二极管电阻”(Internal diode resistance Rd)文本框：单位为，二极管模块导通时的内接电阻值。(4) “初始电流”(Initial current Ic)文本框：与晶闸管相同。(5) “缓冲电路阻值”(Snubber resistance Rs)文本框：并联缓冲电路中的电阻值，单位为。缓冲电阻值设为inf时将取消缓冲电阻。,图5-22 电力场效应晶体管模块参数对话框,(6) “缓冲电路电容值”(Snubber capacitance Cs)文本框：并联缓冲电路中的电容值，单位为F。缓冲电容值设为0时，将取消缓冲电容；缓冲电容值设为inf时，缓冲电路为纯电阻性电路。(7) “测量输出端”(Show measurement port)复选框：选中该复选框，出现测量输出端口m，可以观测MOSFET的电流和电压值。【例5.4】如图5-23所示，构建零电流准谐振开关换流器电路，观测零电流切换效果。为了避免谐振电感、电流源和Mosfet直接串联，在电感L上并联了一个1000 的电阻。控制信号频率为2 MHz，占空比为0.2。,图5-23 例5.4的仿真电路图,解：(1) 按图5-23搭建仿真电路模型，选用的各模块的名称及提取路径见表5-4。,表5-4 例5.4仿真电路模块的名称及提取路径,(2) 设置模块参数和仿真参数。双击电力场效应晶体管模块，按图5-24设置参数。双击脉冲发生器模块，按图5-25设置参数。,图5-24 例5.4的电力场效应晶体管模块参数设置,图5-25 例5.4的脉冲发生器模块参数设置,双击二极管模块，按图5-26设置参数。双击电流源模块，按图5-27设置参数。直流电压源VDC的幅值等于24 V。串联RLC支路为纯容性电路，其中电容C=0.03 F。并联RLC支路中，L=0.02 H，R=1000 。打开菜单SimulationConfiguration Parameters，选择ode23tb算法，同时设置仿真结束时间为0.002 ms。,图5-26 例5.4的二极管模块参数设置,图5-27 例5.4的电流源模块参数设置,(3) 仿真及结果。开始仿真。在仿真结束后双击示波器模块，得到电力场效应晶闸管MOSFET和电容C上的电流和电压，如图5-28所示。图中波形从上向下依次为脉冲信号、电力场效应晶闸管电流、电力场效应晶闸管电压、电容电压。,图5-28 例5.4的仿真波形图,5.1.5 绝缘栅极双极性晶体管模块1. 原理与图标绝缘栅极双极性晶体管(Insulted Gate Bipolar Transistor，IGBT)是一种受栅极信号控制的半导体器件。它出现在20世纪80年代中期，由于结合了场效应晶体管和电力晶体管的优点，因此具有驱动功率小，开关速度快，通流能力强的特点，目前已经成为中小功率电力电子设备的主导器件。IGBT模块的电路符号及外特性如图5-29所示。,图5-29 绝缘栅极双极性晶体管模块的电路符号及外特性(a) 电路符号；(b) 外特性,IGBT模块在集电极发射极间电压VCE为正且大于Vf，门极信号为正(g0)时导通。即使集电极发射极间电压为正，但门极信号为0(g=0)，IGBT也要关断。如果IGBT集电极发射极间电压为负(VCE0)，则IGBT关断。但对于商品IGBT来说，因为其内部已并联了反向二极管，所以IGBT并没有反向阻断能力。IGBT模块的开关特性如图5-30所示。IGBT在关断时，有电流下降和电流拖尾两段时间，下降时间内电流减小到最大电流的10%，经过拖尾时间后IGBT完全关断。IGBT的电流下降时间和拖尾时间可以在参数对话框中设置。IGBT模块上并联了RC缓冲电路，缓冲电阻和电容的设置与其它器件相同。,图5-30 绝缘栅极双极性晶体管模块的开关特性,SimPowerSystems库提供的IGBT模块的图标如图5-31所示。,图5-31 绝缘栅极双极性晶体管模块的图标,2. 外部接口该模块有2个电气接口、1个输入接口和1个输出接口。2个电气接口(C，E)分别对应于IGBT的集电极和发射极。输入接口(g)为门极控制信号，控制IGBT模块的导通和关断。输出接口(m)输出IGBT模块的电流和电压测量值IC，VCE，其中电流单位为A，电压单位为V。3. 参数设置双击IGBT模块，弹出该模块的参数对话框，如图5-32所示。该对话框中含有如下参数：(1) “导通电阻”(Resistance Ron)文本框：单位为。 (2) “电感”(Inductance Lon)文本框：单位为H，电感值不能为0。,(3) “正向电压”(Forward voltage Vf)文本框：IGBT模块的门槛电压Vf，单位为V。(4) “电流减小到10%时的下降时间”(Current 10% fall time Tf)文本框：单位为s。(5) “拖尾时间”(Current tail time Tt)文本框：单位为s。(6) “初始电流”(Initial current Ic)文本框：与晶闸管相同。(7) “缓冲电路阻值”(Snubber resistance Rs)文本框：并联缓冲电路中的电阻值，单位为。缓冲电阻值设为inf时，将取消缓冲电阻。,(8) “缓冲电路电容值”(Snubber capacitance Cs)文本框：并联缓冲电路中的电容值，单位为F。缓冲电容值设为0时，将取消缓冲电容；缓冲电容值为inf时，缓冲电路为纯电阻性电路。(9) “测量输出端”(Show measurement port)复选框：选中该复选框，出现测量输出端口m，可以观测IGBT的电流和电压值。,图5-32 绝缘栅极双极性晶体管模块参数对话框,【例5.5】如图5-33所示，构建升压变换器电路，观测升压效果。IGBT模块采用默认参数。二极管并联有一个值为105 的纯电阻性缓冲电路。控制信号频率为10 kHz，占空比为0.5。,图5-33 例5.5的仿真电路图,解：(1) 按图5-33搭建仿真电路模型，选用的各模块的名称及提取路径见表5-5。,表5-5 例5.5仿真电路模块的名称及提取路径,(2) 设置模块参数和仿真参数。双击脉冲发生器模块，按图5-34设置参数。双击二极管模块，按图5-35设置参数。绝缘栅极双极性晶体管模块采用图5-32所示的SIMULINK的默认设置。直流电压源VDC的幅值等于100 V。串联RLC支路为纯感性电路，其中电感L1=400 H。并联RLC支路中，L=inf，R=50 ，C=25 F。打开菜单SimulationConfiguration Parameters，选择ode23tb算法，同时设置仿真结束时间为20 ms。,图5-34 例5.5的脉冲发生器模块参数设置,图5-35 例5.5的二极管模块参数设置,(3) 仿真及结果。开始仿真。在仿真结束后双击示波器模块，得到绝缘栅极双极性晶体管IGBT和并联RLC元件R/C上的电流电压如图5-36所示。图中波形从上向下依次为电感电流、二极管电流、负荷电压、绝缘栅极双极性晶体管电流和电压。,图5-36 例5.5的仿真波形图,5.1.6 理想开关模块1. 原理与图标理想开关是SIMULINK特设的一种电子开关，其模块的电路符号如图5-37(a)所示。理想开关的特点是导通和关断受门极控制，开关导通时电流可以双向通过。当门极信号g=0时，无论开关承受正向还是反向电压，开关都关断；当门极信号g0时，无论开关承受正向还是反向电压，开关都导通。在门极触发时开关动作是瞬时完成的。理想开关模块的伏安特性如图5-37(b)所示。,图5-37 理想开关模块的电路符号和伏安特性(a) 电路符号；(b) 伏安特性,SimPowerSystems库提供的理想开关模块的图标如图5-38所示。,图5-38 理想开关模块的图标,2. 外部接口理想开关模块有2个电气接口、1个输入接口和1个输出接口。2个电气接口(1，2)与电路直接连接。输入接口(g)输入开关导通或关断的控制信号。输出接口(m)输出理想开关的电流和电压测量值I12，V12，其中电流单位为A，电压单位为V。3. 参数设置双击理想开关模块，弹出该模块的参数对话框，如图5-39所示。该对话框中含有如下参数：(1) “内部电阻”(Internal resistance Ron)文本框：单位为，电阻值不能为0。,图5-39 理想开关模块参数对话框,(2) “初始状态“(Initial state)文本框：0为关断，1为导通。(3) “缓冲电路阻值” (Snubber resistance Rs)文本框：并联缓冲电路中的电阻值，单位为。缓冲电阻值设为inf时，将取消缓冲电阻。 (4) “缓冲电路电容值”(Snubber capacitance Cs)文本框：并联缓冲电路中的电容值，单位为F。缓冲电容值设为0时，将取消缓冲电容；缓冲电容值设为inf时，缓冲电路为纯电阻性电路。(5) “测量输出端”(Show measurement port)复选框：选中该复选框，出现测量输出端口m，可以观测理想开关模块的电流和电压值。,【例5.6】如图5-40所示，构建理想开关电路，观测理想开关的投切效果。开关未并联缓冲电路，导通时电阻为0.01 ，开关初始为合闸状态，0.06 s时开关断开，0.165 s时重合闸成功。,图5-40 例5.6的仿真电路图,解：(1) 按图5-40搭建仿真电路模型，选用的各模块的名称及提取路径见表5-6。,表5-6 例5.6仿真电路模块的名称及提取路径,(2) 设置模块参数和仿真参数。双击理想开关模块，按图5-41设置参数。双击定时器模块，按图5-42设置开关初始为合闸状态，0.06 s时开关断开，0.165 s时再次合闸。电压源Vs的有效值为120 V，频率为50 Hz。串联RLC支路中，电阻R=10 ，电感L=0.1 H，电容C=10 F。打开菜单SimulationConfiguration Parameters，选择ode23tb算法，同时设置仿真结束时间为20 ms。,图5-41 例5.6的理想开关模块参数设置,图5-42 例5.6的定时器模块参数设置,(3) 仿真及结果。开始仿真。在仿真结束后双击示波器模块，得到理想开关和RL支路上的电流电压如图5-43所示。图中波形从上向下依次为理想开关电流、理想开关电压、负荷电流、负荷电压。从仿真波形图上可以清楚观察到电流最大时断开开关导致的负荷过电压和电压最大时投入重合闸的冲击电流。,图5-43 例5.6的仿真波形图,5.2 桥式电路模块5.2.1 三电平桥式电路模块1. 原理与图标SimPowerSystems库提供的三电平桥式电路模块图标和单相结构如图5-44所示。该模块每一相由4个开关设备(Q1A、Q2A、Q3A、Q4A)、4个反向并联的二极管(D1A、D2A、D3A、D4A)和2个箝位二极管(D5A、D6A)组成，所有开关器件均忽略导通时间、下降时间和拖尾时间。,图5-44 三电平桥式电路模块(a) 图标；(b) 单相结构,2. 外部接口三电平桥式电路模块有6个电气接口和1个输入接口。电气接口A、B、C用于连接三相电源或整流变压器的三相输出。电气接口“+”和“-”连接直流侧正负极。箝位中性点N用于外电路的连接。输入接口(g)用于接入开关设备的触发信号。3. 参数设置双击三电平桥式电路模块，弹出该模块的参数对话框，如图5-45所示。该对话框中含有如下参数：(1) “桥臂个数”(Number of bridge arms)下拉框：决定桥的拓扑结构，可选1、2、3三种桥臂数。,图5-45 三电平桥式电路模块参数对话框,(2) “缓冲电路阻值”(Snubber resistance Rs)文本框：并联缓冲电路中的电阻值，单位为。缓冲电阻值设为inf时，将取消缓冲电阻。(3) “缓冲电路电容值”(Snubber capacitance Cs)文本框：并联缓冲电路中的电容值，单位为F。缓冲电容值设为0时，将取消缓冲电容；缓冲电容值为inf时，缓冲电路为纯电阻性电路。,(4) “电力电子开关”(Power Electronic device)下拉框：选择三电平桥式电路中的电力电子开关种类，有4种开关可供选择，即GTO-Diode、Mosfet-Diode、IGBT-Diode和理想开关。不同的开关对应不同的图标。图5-44(a)所示的图标是GTO桥，MOSFET桥、IGBT桥和理想开关桥式电路的图标如图5-46所示。若选中理想开关桥式电路，对应的电路结构也发生了改变，如图5-47所示。,图5-46 不同电力电子器件下的三电平桥式电路图标(a) MOSFET；(b) IGBT；(c) 理想开关,图5-47 理想开关三电平桥式电路单相结构图,(5) “内部电阻”(Internal resistance Ron)文本框：电力电子开关和二极管的内部电阻，单位为。(6) “正向电压”(Forward voltage)文本框：当电力电子开关为IGBT和GTO时，该项需要输入IGBT和GTO的门槛电压Vf 和反向并联的二极管门槛电压Vfd，单位均为V。(7) “测量参数”(Measurements)下拉框：对以下变量进行测量。 无(None)：不测量任何变量。 所有器件电流(All device currents)：测量流经开关器件和二极管的电流。如果定义了缓冲电路，测量值仅为流过开关器件的电流。, 相电压和直流电压(Phase-to-Neutral and DC voltages)：测量三电平桥式电路模块交流和直流侧的端口电压。 所有变量(All voltage and currents)：测量三电平桥式电路模块中全部有定义的电压和电流。选中的测量变量需要通过万用表模块进行观察。测量变量用模块名做后缀，例如，IQ1A表示Q1A的电流值。表5-7所示为三相三电平桥式电路的测量变量符号。,表5-7 三相三电平桥式电路测量变量符号,三电平桥式电路的触发信号是一组向量，向量的维数由桥臂的个数决定。表5-8所示为触发信号向量。注意，若是理想开关电路，则信号Q1驱动sw1，信号Q4驱动sw2，信号Q2和信号Q3的“与”逻辑结果驱动sw3。,表5-8 触发信号向量,5.2.2 通用桥式电路模块1. 原理与图标SimPowerSystems库提供了通用桥式电路模块，图标如图5-48(a)所示(以晶闸管开关为例)。该模块既可以用作整流，也可以用作逆变，通过对该模块的设置还可以改变相数和电力电子开关类型。,图5-48 通用桥式电路模块(a) 图标；(b) 三相结构,(a),(b),2. 外部接口通用桥式电路模块有5个电气接口和1个输入接口。电气接口A、B、C用于连接三相电源或整流变压器的三相输出，电气接口“+”和“-”连接直流侧正负极。输入接口(g)接入触发信号。触发信号的排列顺序必须与通用桥式电路中电力电子器件的序号一致。对于二极管和晶闸管桥，脉冲顺序和自然换相顺序相同。对于其它的强迫换流开关桥，脉冲分别触发三相桥的上桥臂和下桥臂开关器件。3. 参数设置双击通用桥式电路模块，弹出该模块的参数对话框，如图5-49所示。该对话框中含有如下参数：,图5-49 通用桥式电路模块参数对话框,(1) “桥臂个数”(Number of bridge arms)下拉框：决定桥的拓扑结构，可选1、2、3三种桥臂数。 (2) “缓冲电路阻值”(Snubber resistance Rs)文本框：并联缓冲电路中的电阻值，单位为；缓冲电阻值设为inf时，将取消缓冲电阻。 (3) “缓冲电路电容值”(Snubber capacitance Cs)文本框：并联缓冲电路中的电容值，单位为F。缓冲电容值设为0时，将取消缓冲电容；缓冲电容值为inf时，缓冲电路为纯电阻性电路。,(4) “电力电子开关”(Power Electronic device)下拉框：选择通用桥式电路中的电力电子开关种类，有6种开关可供选择，即二极管、晶闸管、GTO-Diode、MOSFET-Diode、IGBT-Diode和理想开关。不同的开关对应不同的图标。图5-48(a)所示的图标为晶闸管桥，二极管桥、MOSFET桥、IGBT桥和理想开关桥电路模块的图标和对应的三相结构分别如图5-50图5-52所示。,图5-50 二极管通用桥式电路模块(a) 图标；(b) 三相结构,(a),(b),图5-51 强迫换流设备的通用桥式电路模块(a) 图标；(b) 三相结构,图5-52 理想开关通用桥式电路模块(a) 图标；(b) 三相结构,(a),(b),(5) “内部电阻”(Ron)文本框：电力电子开关内部电阻值，单位为。(6) “内部电感”(Lon)文本框：二极管和晶闸管的内部电感值，单位为H。如果模块被离散化，该参数必须设置为0。(7) “正向电压”(Forward voltage Vf)文本框：当电力电子开关为IGBT和GTO时，需要在该项中输入IGBT和GTO的门槛电压Vf和反向并联的二极管门槛电压Vfd，单位为V；当电力电子开关为MOSFET和理想开关时，该项不可见。(8) “关断时间”文本框：IGBT和GTO的下降时间Tf和拖尾时间Tt，单位为s。当电力电子开关选为IGBT和GTO时，该项可见。,(9) “测量参数”(Measurements)下拉框：对以下变量进行测量。 无(None)：不测量任何变量。 设备电压(Device voltages)：测量6个开关器件的端口电压。 设备电流(Device currents)：测量流经6个开关器件的电流。如果定义了反向并联二极管，则测量的电流值为开关器件和二极管中的电流之和，其中正电流表示电流流经开关器件，负电流表示电流流经二极管电路。如果定义了缓冲电路，则测量值仅为流过开关器件的电流。, 线电压和直流电压(UAB UBC UCA UDC voltages)：测量通用桥式电路模块交流和直流侧的电压。 所有变量(All voltage and currents)：测量通用桥式电路模块中全部有定义的电压和电流。选中的测量变量需要通过万用表模块进行观察。测量变量符号如表5-9所示。,表5-9 三相桥电路测量变量符号,【例5.7】如图5-53所示，利用通用桥式电路模块构建三相桥式全控整流电路，观察整流器在不同负载、不同触发角时的输出电压、电流波形，并测量电压平均值。,图5-53 例5.7的仿真电路图,解：(1) 按图5-53搭建仿真电路模型，选用的各模块的名称及提取路径见表5-10。,表5-10 例5.7仿真电路模块的名称及提取路径,通用桥式电路模块有专用的脉冲发生器模块，在没有学习到该模块前，不妨用简单的脉冲发生器构建触发单元，以加深对通用桥式电路结构的理解。(2) 设置模块参数和仿真参数。设置三相电压源Vs的线电压有效值为220sqrt(3)，频率为50 Hz，初始相角为0。串联RLC支路为纯电阻性电路，其中电阻R=2 。通用桥式电路模块采用默认参数。双击脉冲发生器模块P1，按图5-54设置参数。,图5-54 例5.7的脉冲发生器模块参数设置,脉冲发生器模块P2、P3、P4、P5、P6的相位延迟时间分别设置为0.04/6、0.06/6、0.08/6、0.10/6、0.12/6，其它设置与P1相同。打开菜单SimulationConfiguration Parameters，选择ode23tb算法，同时设置仿真结束时间为0.06 s。 (3) 仿真及结果。开始仿真。在仿真结束后双击示波器模块，得到整流器的电流波形、输出电压和电压平均值如图5-55所示。由图可见，观测到的整流电压平均值与计算值Vd=2.34 Vs cosa=2.34220cos60=445 V一致。读者可以自己动手，改变触发角、负荷的电阻、电感大小，重新仿真，并观察波形的变化。,图5-55 例5.7的仿真波形图,5.3 驱动电路模块电力电子器件工作时需要有正确的门极控制信号，产生控制信号的驱动电路是电力电子线路必不可少的组成部分。由于晶闸管和其它自