第五章工艺集成ppt课件.ppt

工艺集成 Process Integration,大规模集成电路制造工艺,2,知识回顾,3,工艺集成,集成电路的工艺集成： 运用各类单项工艺技术（外延、氧化、气相沉积、光刻、扩散、离子注入、刻蚀以及金属化等工艺）形成电路结构的制造过程。,薄膜形成,光刻,掺杂、刻蚀,4,工艺集成,形成薄膜：化学反应，PVD，CVD，旋涂，电镀；光刻：实现图形的过渡转移；改变薄膜：注入，扩散，退火；,刻蚀：最后图形的转移；,器件的制备：各种工艺的集成 MOS，CMOS，BJT，BiCMOS，MESFET,工艺目的：,5,工艺的选择,工艺条件：温度, 压强, 时间, 功率, 剂量,气体流量, ,工艺参数：厚度, 介电常数, 应力, 浓度, 速度,器件参数：阈值电压, 击穿电压, 漏电流, 增益,6,工艺的限制,MOS：阈值电压束缚了氧化层厚度；BJT：电流增益束缚了基区宽度；内连线：RC延迟束缚了电阻率；,Al的存在限制了工艺温度；刻蚀的选择比限制了材料的选择；,器件特性要求对工艺的限制：,工艺兼容性的限制：,7,集成电路中器件的隔离,由于MOSFET的源、漏与衬底的导电类型不同， 所以本身就是被PN结所隔离，即自隔离(self-isolated)；,MOSFET晶体管是自隔离，可有较高的密度， 但邻近的器件会有寄生效应；,8,LOCOS 隔离,希望场区的VT大,保证寄生MOSFET的电流小于1pA；,增加场区VT 的方法: 场氧化层增厚:栅氧化层的7-10倍； 增加场氧化区下面掺杂浓度(Channel-Stop Implant， 沟道阻断注入)；,9,LOCOS隔离工艺,10,LOCOS隔离工艺,Birds Beak,11,改进的LOCOS工艺 PBL: polybuffered LOCOS,在LPCVD Si3N4前, 先淀积一层多晶硅,让多晶硅消耗场氧化时横向扩散的O。鸟嘴可减小至0.1-0.2um。,12,浅阱隔离(Shallow Trench Isolation),与LOCOS相比，STI尺寸按比例缩小更容易！,13,MESFET器件制备工艺流程,GaAs优点： 电子迁移率高； 更高的饱和漂移速度； 衬底可以实现半绝缘；,GaAs缺点： 体缺陷多； 少子寿命短； 氧化物质量差；,光刻胶,外延生长n型有源层；外延生长n+接触层；,Mask #1 刻蚀形成隔离,14,MESFET器件制备工艺流程,Mask #2 形成源漏欧姆接触,金属蒸发沉积,Lift-off工艺形 成金属图形；蒸发沉积金属；,Mask #3 刻蚀n+层GaAs， 源漏间形成断路；,光刻胶,光刻胶,光刻胶,15,MESFET器件制备工艺流程,Mask #4 将沟道区刻薄； 定义栅极图形；,金属蒸发沉积,光刻胶,光刻胶,Lift-off工艺形成栅电极,16,npn型BJT器件制备工艺流程,npn BJT：基区为p型半导体，少数载流子为电子， 具有更高的迁移率，器件工作速度更快；,横向隔离用SiO2，相对于pn结隔离，寄生电容更小；纵向利用n+p结隔离；n+埋层，也可以减少集电极的串联电阻；,17,npn型BJT器件制备工艺流程,Mask #1 定义埋层注入区,杂质注入+扩散；n型外延层生长， 避免埋层杂质扩散；,18,npn型BJT器件制备工艺流程,Mask #2 形成隔离,减压SiO2生长；Si3N4沉积；硅阱刻蚀；沟道阻挡离子注入；,隔离SiO2形成；Si3N4去除；,19,npn型BJT器件制备工艺流程,Mask #3 基区注入掺杂,Mask #4 薄氧化层刻蚀,Mask #5 基区接触p+注入掺杂,20,npn型BJT器件制备工艺流程,n+发射极/集电极接触区,P/As离子注入,Mask #6 发射极注入； 集电极金属接触区注入； 低能量，高剂量注入；,绝缘层,21,npn型BJT器件制备工艺流程,PECVD SiNx 钝化层,内连金属,纵向npnBJT,Mask #7 开接触孔；,Mask #8 形成金属电极；,8次光刻5次注入7次成膜5次刻蚀,22,NMOS制备工艺流程,Mask #1 定义有源区,(沟道阻止注入),23,NMOS制备工艺流程,LOCOS隔离,去除Si3N4；去除压力释放氧化层；,24,NMOS制备工艺流程,多晶硅,栅氧化层,自对准源/漏/栅注入,n结,沟道,栅,开栅接触孔 多晶硅区,栅氧化层生长；多晶硅层沉积；,Mask #2 形成栅极,25,NMOS制备工艺流程,内连金属(Al-Si-Cu),内连绝缘层,接触孔,Mask #3 开接触孔；,Mask #4 形成金属电极,金属半导体,26,NMOS制备工艺流程,源漏接触,外联接触,钝化层PECVD SiNx,Mask #5 开外联接触窗口,27,基于LOCOS的CMOS工艺,AlCuSi,PSG,p+,p+,n+,n+,p+,p+,SiO2,28,CMOS集成电路制造工艺I,技术特点： LOCOS隔离工艺；平坦化层：PSG， re-flow at 1100oCAl-Si金属作为内联金属；最小图形尺寸：30.8um,29,P型基片,基于LOCOS的CMOS工艺,30,释放压力氧化层,P型基片,生长释放压力氧化層,31,释放压力氧化层,P型基片,氮化硅,LPCVD沉积氮化硅,32,P型基片,光刻胶,氮化硅,光刻胶旋涂,33,Mask #1, LOCOS隔离,34,P型基片,光刻胶,氮化硅,Mask #1, LOCOS隔离,35,P型基片,光刻胶,氮化硅,对准和曝光,36,氮化硅,P型基片,光刻胶,显影,37,氮化硅,P型基片,光刻胶,刻蚀氮化硅,38,氮化硅,P型基片,去除光刻胶,39,氮化硅,P型基片,p+,p+,沟道阻止注入,40,P型基片,氮化硅,p+,p+,SiO2,氧化形成LOCOS,41,P型基片,p+,p+,SiO2,去除氮化硅/压力释放氧化硅，清洗,42,P型基片,p+,p+,p+,SiO2,生长遮蔽氧化层,43,光刻胶,P型基片,p+,p+,p+,SiO2,光刻胶旋涂,44,Mask#2, N型阱区,45,光刻胶,P型基片,p+,p+,p+,SiO2,Mask#2, N型阱区,46,光刻胶,P型基片,p+,p+,p+,SiO2,曝光,47,光刻胶,P型基片,p+,p+,p+,SiO2,显影,48,磷离子注入,光刻胶,P型基片,p+,p+,p+,SiO2,N型阱区,N型阱区注入（预沉积）,49,P型基片,p+,p+,p+,SiO2,N型阱区,去除光刻胶,50,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,N型阱区驱入（Drive-in）,51,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,去除遮蔽氧化层,52,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,生长栅极氧化层,53,多晶硅,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,栅极氧化层,沉积多晶硅,54,多晶硅,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,光刻胶旋涂,55,Mask #3，栅极图形,56,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,多晶硅,Mask #3，栅极图形,57,多晶硅,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,曝光,58,多晶硅,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,显影,59,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,光刻胶,多晶硅栅极,刻蚀多晶硅,光刻胶,60,多晶硅栅极,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,去除光刻胶,61,多晶硅栅极,光刻胶,P型基片,p+,p+,N型阱,SiO2,光刻胶旋涂,62,光刻胶,P型基片,p+,p+,N型阱,SiO2,Mask #4 NMOS源漏注入,63,光刻胶,P型基片,p+,p+,N型阱,SiO2,曝光,64,光刻胶,P型基片,p+,p+,N型阱,SiO2,显影,65,P型基片,p+,p+,SiO2,磷/砷离子注入,NMOS源漏栅自对准注入,66,P型基片,p+,p+,SiO2,去除光刻胶,67,P型基片,p+,p+,SiO2,光阻旋涂,68,P型基片,p+,p+,SiO2,Mask #5 PMOS源漏注入,69,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,显影,70,硼离子注入,P型基片,p+,p+,SiO2,P型源漏栅自对准注入,71,P型基片,p+,p+,SiO2,去除光阻,72,p+,p+,P型基片,SiO2,n+,n+,p+,p+,退火,73,p+,p+,SiO2,n+,n+,p+,p+,LPCVD氮化硅阻挡层沉积,74,PSG,p+,p+,SiO2,n+,n+,p+,p+,CVD沉积PSG/BPSG,75,PSG,p+,p+,SiO2,n+,n+,p+,p+,PSG Re-Flow,76,PSG,p+,p+,SiO2,n+,n+,p+,p+,光刻胶旋涂,77,PSG,p+,p+,SiO2,n+,n+,p+,p+,Mask #6 形成接触孔,78,BPSG,p+,p+,SiO2,n+,n+,p+,p+,显影,79,PSG,p+,p+,SiO2,n+,n+,p+,p+,接触孔刻蚀,80,PSG,p+,p+,n+,n+,p+,p+,SiO2,去除光刻胶,81,AlCuSi,PSG,p+,p+,n+,n+,p+,p+,SiO2,金属沉积,82,AlCuSi,PSG,p+,p+,n+,n+,p+,p+,SiO2,光刻胶旋涂,83,AlCuSi,PSG,p+,p+,n+,n+,p+,p+,SiO2,Mask #7 形成金属连线,84,AlCuSi,PSG,p+,p+,n+,n+,p+,p+,SiO2,显影,85,AlCuSi,BPSG,p+,p+,n+,n+,p+,p+,SiO2,金属刻蚀,86,AlCuSi,PSG,p+,p+,n+,n+,p+,p+,SiO2,去除光刻胶,#,87,CMOS集成电路制造II,技术特点： 消除单晶硅衬底内氧杂质的影响，外延生长器件层；STI绝缘替代LOCOS绝缘；引入LDD结构减小热载流子效应利用金属硅化物减小寄生电阻；利用BPSG作为金属前电介质，减小Re-Flow温度；RTP活化注入杂质；最小图形尺寸：0.80.13um,P型硅衬底准备,P型硅衬底,轻掺杂外延生长,硅外延层,P型硅衬底,90,Mask #1: N型阱区,N型阱区注入,- 外延层,P型衬底,光刻胶,N型阱区,磷离子,Mask #2: P型阱区,93,P型阱区注入,硼离子,P型阱区,N型阱区,光刻胶,94,杂质扩散,N型阱区,P型阱区,95,生长氧化层, LPCVD 沉积氮化硅,N型阱区,P型阱区,氮化硅,96,Mask #3: 浅沟槽绝缘(STI),刻蚀沟槽,N型阱,P型阱,氮化硅,氮化硅,98,HDP-CVD 沉积USG 填充沟道,N型阱,P型阱,氮化硅,氮化硅,USG,USG,99,CMP USG, 停止于氮化硅层,N型阱,P型阱,Nitride,Nitride,USG,100,去除氧化硅/氮化硅,N型阱,P型阱,USG,STI,101,Mask #4: NMOS沟道 VT 调整掺杂,102,光刻胶,磷离子,N型阱,P型阱,USG,STI,NMOS沟道 VT 调整掺杂,103,Mask #5: PMOS沟道 VT 调整掺杂,104,光刻胶,硼离子,N型阱,P型阱,STI,USG,PMOS沟道 VT 调整掺杂,105,热氧化层生长/LPCVD沉积多晶硅,多晶硅,N型阱,P型阱,STI,USG,106,Mask #6: 栅极,107,刻蚀多晶硅,多晶硅栅极,N型阱,P型阱,STI,USG,光刻胶,栅极氧化层,108,Mask #7: NMOS LDD掺杂,109,NMOS LDD掺杂,光刻胶,砷离子,N型阱,P型阱,USG,STI,110,Mask #8: PMOS LDD掺杂,111,PMOS LDD掺杂, BF2+,光刻胶,BF2+ 离子,N型阱,P型阱,STI,USG,112,侧壁层(Spacer),栅极氧化层,n,-,LDD,n,-,LDD,侧壁层,侧壁层,多晶硅栅极,多晶硅栅极,栅极氧化层,n,-,LDD,n,-,LDD,113,Mask #9: NMOS源漏注入,114,NMOS源漏注入,光刻胶,磷离子,N型阱,P型阱,n+,n+,STI,p-,p-,USG,115,Mask #9: PMOS 源漏注入,116,PMOS 源漏注入,光刻胶,硼离子,N型阱,P型阱,n+,n+,STI,p+,p+,USG,117,金属硅化物制备,多晶硅栅极,侧壁层,侧壁层,栅极氧化层,n,-,n,-,n,+,n,+,Ar,+,Ar,+,Ti,多晶硅栅极,n,-,n,-,n,+,n,+,TiSi,2,TiSi,2,Ti,多晶硅栅极,n,-,n,-,n,+,n,+,TiSi,2,TiSi,2,多晶硅栅极,n,-,n,-,n,+,n,+,118,钛金属沉积,RTP 硅化物形成,未反应钛去除,硅,硅,硅,STI,侧壁层,钛,钛金属硅化物,多晶硅,栅极氧化层,钛自对准金属硅化物形成,119,硼磷硅玻璃沉积(BPSG)和再流动 (Re-Flow),n+,n+,p+,p+,STI,USG,BPSG,n+,n+,p+,p+,STI,USG,BPSG,120,Mask #10: 接触孔,121,接触孔刻蚀,N型阱,P型阱,BPSG,n+,n+,p+,p+,STI,USG,122,CVD钨沉积,N型阱,P型阱,BPSG,n+,n+,p+,p+,STI,USG,钨,钛 / 氮化钛,123,接触孔刻蚀,N型阱,P型阱,BPSG,n+,n+,p+,p+,STI,USG,钛 / 氮化钛,铝铜合金,钛,TiN ARC,W,124,Mask #11: 金属1连线,125,金属刻蚀,P- 型外延层,P型晶圆衬底,N型阱,P型阱,BPSG,n+,n+,p+,p+,STI,USG,钛 / 氮化钛,钛,TiN ARC,W,铝铜合金,126,P- 型硅外延层,P型晶圆,金属3,铝铜 合金,IMD 3,USG,金属 4,铝铜,USG,氮化硅,铝铜 合金,N型阱,P型阱,BPSG,n,+,n,+,p,+,p,+,STI,USG,W,铝铜 合金,USG,M1,M2,铝铜,USG,W,IMD 1,IMD 2,TiSi2,多晶硅,Ti,TiN ARC,W,Ti/TiN,Ti/TiN,侧壁层, USG,PMD 阻挡层, 氮化硅,IMD 3,钝化层 1,钝化层2,PMD,CMOS截面,127,CMOS集成电路制造III,技术特点：使用SOI和STI技术；利用铜连接和低介电常数介电质，减少RC延迟；使用金属CMP代替金属刻蚀；图形最小尺寸：0.13um,128,裸晶圆,P型晶圆,129,大电流氧离子注入,P型晶圆,氧离子, O+,130,氧化退火,P型晶圆,深埋 SiO2 层,131,晶圓清洗去除表面自然氧化层,P型晶圆,深埋 SiO2 层,132,外延层沉积,P型外延层,133,晶圓清洗,P型外延层,134,压力释放氧化层生长,P型晶圆,深埋 SiO2 层,P型外延层,135,LPCVD 氮化硅沉积,P型晶圆,深埋 SiO2 层,P型外延层,氮化硅,136,旋涂光刻胶,P型外延层,光刻胶,氮化硅,137,Mask #1: 浅沟槽隔离(STI),138,对准和曝光,P型外延层,光刻胶,氮化硅,139,显影,P型外延层,光刻胶,氮化硅,140,氮化硅/氧化硅刻蚀,P型外延层,光刻胶,氮化硅,141,去除光刻胶,P型外延层,氮化硅,142,刻蚀硅,P型外延层,氮化硅,P型外延层,143,晶圓清洗,P型外延层,氮化硅,P型外延层,144,P型外延层,P型外延层,保护氧化层生长,氮化硅,145,P型外延层,P型外延层,未掺杂氧化层沉积（undoped silicate glass, USG),氮化硅,USG,USG,146,P型外延层,P型外延层,CMP刻蚀USG,氮化硅,USG,USG,147,P型外延层,P型外延层,去除氮化硅,USG,USG,148,P型多晶硅,P型多晶硅,去除释放压力氧化层,USG,USG,STI,149,P型外延层,P型外延层,牺牲氧化层生长,USG,USG,STI,150,P型外延层,P型外延层,光刻胶旋涂,USG,USG,STI,光刻胶,151,Mask #2: N-型阱,152,P型外延层,P型外延层,曝光,USG,USG,STI,光阻,153,P型外延层,P型外延层,显影,USG,USG,STI,光刻胶,154,P型外延层,N-型阱注入,P型晶圓,USG,USG,STI,光刻胶,N型阱区,磷离子, P+,不同能量，多次注入，形成均匀分布,155,P型外延层,PMOS VT 调整注入,USG,USG,STI,光刻胶,N型阱区,硼离子, B+,利用同一次光刻形成图形,156,P型外延层,去除光刻胶,USG,USG,STI,N型阱区,157,P型外延层,光刻胶旋涂,USG,USG,STI,N型阱区,光刻胶,158,Mask #3: P型阱,159,P型外延层,曝光,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,160,P型外延层,显影,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,161,P型阱,P-型阱注入,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,硼离子, B+,多次不同能量注入形成均匀分布,162,P型阱,NMOS VT 调整注入,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,磷离子, P+,163,P型阱,去除光阻,USG,USG,STI,N型阱,164,P型阱,去除牺牲氧化层,USG,USG,STI,N型阱,165,P型阱,晶圓清洗,USG,USG,STI,N型阱,166,P型阱,生长栅极氧化层,USG,USG,STI,N型阱,167,P型阱,LPCVD 沉积非晶硅,USG,STI,N型阱,非晶硅,栅极氧化层,USG,非晶硅相对于多晶硅表面更加平整,168,P型阱,光刻胶旋涂,USG,USG,STI,N型阱,非晶硅,光刻胶,169,Mask #4, 栅极和局部互联,170,P型阱,曝光,USG,USG,STI,N型阱,非晶硅,光刻胶,171,P型阱,显影,USG,USG,STI,N型阱,非晶硅,刻胶,172,P型阱,非晶硅刻蚀,USG,USG,STI,N型阱,非晶硅,光刻胶,栅极氧化层,173,P型阱,去除光刻胶,USG,USG,STI,N型阱,非晶硅,174,P型阱,非晶硅退火和氧化,USG,USG,STI,N型阱,多晶硅,氧化是为了修复非晶硅可是过程中造成的栅氧化层的损伤,175,P型阱,光刻胶旋涂,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,多晶硅,176,Mask #5, NMOS LDD 注入,177,P型阱,曝光,USG,USG,STI,N型阱,多晶硅,光刻胶,178,P型阱,显影,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,179,P型阱,NMOS LDD 注入,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,锑离子, Sb+,180,P型阱,去除光刻胶,USG,USG,STI,N型阱,181,P型阱,光刻胶旋涂,USG,USG,STI,N型阱,多晶硅,光刻胶,182,Mask #6: PMOS LDD 注入,183,P型阱,曝光,USG,USG,STI,N型阱,多晶硅,光刻胶,184,P型阱,显影,USG,USG,STI,N型阱,多晶硅,光刻胶,185,P型阱,PMOS LDD 注入,USG,USG,STI,N型阱,多晶硅,光刻胶,BF2+,186,P型阱,去除光刻胶,USG,USG,STI,N型阱,187,P型阱,氧化硅氮化硅沉积,USG,USG,STI,N型阱,188,P型阱,氮化硅/氧化硅刻蚀,USG,USG,STI,N型阱,侧壁层(spacer),多晶硅栅极,189,P型阱,光刻胶旋涂,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,190,Mask #7, NMOS S/D 注入,191,P型阱,曝光,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,192,P型阱,显影,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,193,P型阱,NMOS S/D注入,USG,N型阱,光刻胶,STI,USG,砷离子, As+,194,P型阱,去除光刻胶,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,195,P型阱,涂胶,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,光刻胶,196,Mask #8, PMOS S/D注入,197,P型阱,曝光,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,光刻胶,198,P型阱,显影,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,光刻胶,199,P型阱,PMOS S/D注入,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,光刻胶,硼离子, B+,200,P型阱,去除光刻胶,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,201,P型阱,RTA退火,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,202,P型阱,氩离子溅射刻蚀,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,去除表面自然氧化层,203,P型阱,钴(Co)和TiN沉积,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,钴,氮化钛,TiN 保护Co不被氧化,204,P型阱,RTA退火,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,钴硅化物(CoSi2),钴,氮化钛,205,P型阱,去除TiN，Co,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,钴硅化物(CoSi2),206,P型阱,PECVD 沉积氮化硅,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,小尺寸器件下，热预算的要求不能使用LPCVD氮化硅,207,P型阱,沉积PSG,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,PECVD 氮化硅用来阻止P的扩散,208,P型阱,CMP刻蚀PSG,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,209,P型阱,光刻胶旋涂,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,光刻胶,210,Mask #9, 接触孔,211,P型阱,曝光,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,光刻胶,212,P型阱,显影,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,光刻胶,213,P型阱,刻蚀PSG,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,光刻胶,214,P型阱,去除光刻胶,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,215,P型井區,氩离子溅射刻蚀,P型晶圓,深埋 SiO2 層,USG,N型井區,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,清洁表面,216,P型阱,Ti/TiN溅射沉积,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,Ti / 氮化钛附着层/阻挡层,217,钨,P型阱,CVD沉积钨（W),USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,Tungsten,W,CVD沉积具有良好的太阶覆盖性和填空性能,218,P型阱,CMP金属刻蚀,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,219,PECVD 沉积SiC密封层,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,SiC致密性高，可以阻止Cu扩散；SiC的介电常数 : 4-5， SiNx的介电常数: 7-8;,220,SOD旋涂,SOD,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,SOD：spin-on-dielectric,221,SOD 烘烤硬化,SOD,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,222,PECVD 沉积SiC刻蚀停止层,SOD,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,223,SOD 旋涂及硬化,SOD,SOD,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,224,沉积 PE-TEOS 覆盖层,SOD,SOD,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,SOD具有吸水性,225,光刻胶旋涂,SOD,SOD,光刻胶,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,226,Mask #10, 金属接触孔1,227,曝光,SOD,SOD,光刻胶,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,228,显影,SOD,SOD,光刻胶,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,229,刻蚀PE-TEOS和SOD, 并在SiC层停止,SOD,SOD,光刻胶,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,230,去除光刻胶,SOD,SOD,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,231,光刻胶旋涂,SOD,SOD,光刻胶,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,232,Mask #11, 金属沟槽 1,233,對準和曝光,SOD,SOD,光刻胶,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,234,显影,SOD,SOD,光刻胶,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,235,沟槽刻蚀,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,SOD,SOD,光刻胶,236,去除光刻胶,SOD,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,SOD,237,氩离子刻蚀清洁,SOD,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,SOD,238,PVD沉积钽和氮化钽阻挡层,SOD,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,SOD,钽和氮化钽：阻挡铜的扩散,239,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,PVD 沉积Cu 籽晶层,SOD,SOD,240,铜电镀沉积,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,SOD,SOD,241,銅退火,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,SOD,SOD,250oC,减小电阻,242,CMP金属刻蚀,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,SOD,SOD,243,切割，测试，封装,244,Good Luck！,