模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准ppt课件.ppt

西电微电子：模拟集成电路原理,Bandgap RefCh. 11 # 1,第十一章带隙基准,董 刚Email:2010年,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,西电微电子：模拟集成电路原理,2,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,西电微电子：模拟集成电路原理,3,概述,基准是直流量，与电源和工艺参数的关系小，与温度的关系是确定的。目的：建立与电源和工艺无关，具有确定温度特性的直流电压和电流。形式：与绝对温度成正比（PTAT） 常数Gm特性 与温度无关,西电微电子：模拟集成电路原理,4,概述,西电微电子：模拟集成电路原理,5,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,西电微电子：模拟集成电路原理,6,与电源无关的偏置,如何产生IREF？,西电微电子：模拟集成电路原理,7,与电源无关的偏置,西电微电子：模拟集成电路原理,8,与电源无关的偏置,西电微电子：模拟集成电路原理,9,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,西电微电子：模拟集成电路原理,10,与温度无关的偏置,负温度系数电压,当VBE750mV，T300K，为1.5mV/K,西电微电子：模拟集成电路原理,11,与温度无关的偏置,正温度系数电压,西电微电子：模拟集成电路原理,12,与温度无关的偏置,VREF=1VBE+2(VTln n),1=1 根据室温时温度系数之和为零，得到：2 ln n17.2 VREFVBE+17.2VT=1.25,西电微电子：模拟集成电路原理,13,与温度无关的偏置,西电微电子：模拟集成电路原理,14,与温度无关的偏置,西电微电子：模拟集成电路原理,15,与温度无关的偏置,西电微电子：模拟集成电路原理,16,与温度无关的偏置,西电微电子：模拟集成电路原理,17,与温度无关的偏置,西电微电子：模拟集成电路原理,18,与温度无关的偏置,西电微电子：模拟集成电路原理,19,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,西电微电子：模拟集成电路原理,20,PTAT电流的产生,西电微电子：模拟集成电路原理,21,PTAT电流的产生,西电微电子：模拟集成电路原理,22,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,西电微电子：模拟集成电路原理,23,恒定Gm偏置,西电微电子：模拟集成电路原理,24,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,西电微电子：模拟集成电路原理,25,实例分析,PMOS 电流镜保证Q1Q4的集电极电流相等,西电微电子：模拟集成电路原理,26,实例分析,西电微电子：模拟集成电路原理,27,实例分析,西电微电子：模拟集成电路原理,28,实例分析,西电微电子：模拟集成电路原理,29,实例分析,西电微电子：模拟集成电路原理,30,