半导体原理简介ppt课件.ppt
2022/11/8,1,第一章 半导体物理基础,1-1 晶体结构和半导体材料1-2 半导体能带结构1-3 平衡载流子浓度1-4 载流子输运现象1-5 非平衡载流子1-6 半导体的光学性质,2022/11/8,2,1-1 晶体结构和半导体材料,晶格结构密勒指数载流子的概念半导体器件基础,2022/11/8,3,2022/11/8,4,固体结构,2022/11/8,5,晶体结构,硅、锗等半导体都属于金刚石型结构。III-V族化合物（如砷化镓等）大多是属于闪锌矿型结构，与金刚石结构类似。 晶格常数是晶体的重要参数。aGe=0.5658nm,aSi=0.5431nm,2022/11/8,6,常用半导体材料的晶格结构,Two intervening FCC cells offset by of the cubic diagonal from diamond structure and zincblende structure:,2022/11/8,7,倒格矢：基本参数: a*, b*, c*(aa*=2, a b*=0, etc.)应用：波矢k空间的布里渊区,2022/11/8,8,沿晶体的不同方向，晶体的机械、物理特性也是不相同的，这种情况称为晶体的各向异性。用密勒指数表示晶面。密勒指数（Miller indices)：表示晶面 （1）确定某一平面在直角坐标系三个轴上的截点，并以晶格常数为单位测出相应的截距； （2）取截距的倒数，然后约化为三个最小的整数，这就是密勒指数。,晶体的各向异性,2022/11/8,9,密勒指数,2022/11/8,10,密勒指数,hkl: For a crystal direction,2022/11/8,11,价键,每个原子有4个最近邻原子以共价键结合，低温时电子被束缚在各自的正四面体晶格内，不参与导电。高温时，热振动使共价键破裂，每打破一个键，就得到一个自由电子，留下一个空穴，即产生一个电子空穴对。,2022/11/8,12,单晶硅,2022/11/8,13,半导体载流子：电子和空穴,2022/11/8,14,半导体器件基础,半导体器件是根据半导体中的各种效应制成的。如：利用pn结单向导电效应，光电效应，雪崩倍增效应，隧道效应等，可以制成各种半导体结型器件。利用半导体中载流子的能谷转移效应，可以制成体效应器件。利用半导体与其它材料之间的界面效应，可以制成各种界面器件。半导体中的各种效应是由半导体内部的电子运动产生的，因此需要掌握构成半导体器件物理基础的半导体中的电子运动规律。,2022/11/8,15,1-2 半导体能带结构,能带的概念 有效质量的概念载流子的概念多能谷半导体态密度,2022/11/8,16,能带的概念,电子的共有化运动 能带的概念 导体、半导体、绝缘体的能带直接带隙半导体：电子从价带向导带跃迁不需要改变晶体动量的半导体，如GaAs。间接带隙半导体：电子从价带向导带跃迁要改变晶体动量的半导体，如Si。,2022/11/8,17,单电子近似,单电子近似解法解为Bloch函数:,2022/11/8,18,晶体是由大量的原子结合而成的，因此各个原子的电子轨道将有不同程度的交叠。电子不再局限于某个原子，而可能转移到其他原子上去，使电子可能在整个晶体中运动。晶体中电子的这种运动称为电子的共有化。由于晶格是势场的周期性函数，我们有 式中V（x）为周期性势场，s为整数，a为晶格常数。势场的周期与晶格周期相同。晶体中的电子在周期性势场中运动的波函数其振幅随x作周期性变化，其变化周期与晶格周期相同，这反映了电子不再局限于某个原子，而是以一个被调幅的平面波在晶体中传播。基本方程为薛定谔方程：,2022/11/8,19,电子由一个原子转移到相邻的原子去,因而电子将可以在整个晶体中运动。,2022/11/8,20,固体的量子理论认为，当原子凝聚成固体时，由于原子间的相互作用，相应于孤立原子的每个能级加宽成间隔极小（准连续）的分立能级所组成的能带，能带之间隔着宽的禁带。能带之间的间隔不允许电子具有的能量。金刚石结构的晶体形成的能带图如下。n个原子组成晶体，原子间相互作用，n重简并能级分裂，n个连续的分离但挨的很近的能级形成能带。,2022/11/8,21,不同材料的能带图,(a)绝缘体 (b)半导体 (c)导体,2022/11/8,22,能带温度效应,Si,GaAs,实验结果表明，大多数半导体的禁带宽度随温度的升高而减小，禁带宽度与温度的关系有下面经验公式：,2022/11/8,23,直接带隙半导体,Direct Semiconductor,例如： GaAs, InP, GaN, ZnO.,2022/11/8,24,间接带隙半导体,Indirect Semiconductor:,例如: Ge, Si.,2022/11/8,25,有效质量的概念,晶体中电子行径与自由电子在导带底和价带顶附近非常相似。可以证明，对于一般输运过程中，可以把电子看成具有动量 ，能量 的有效带电粒子，其中mn为有效质量。, 有效质量的引入对半导体而言,重要的是导带底和价带顶附近的电子状态.一维情况下,导带底、价带顶的Ek关系为抛物线近似 -能带极值附近的电子有效质量.,2022/11/8,26,Principle of Semiconductor Devices,2022/11/8,27,Principle of Semiconductor Devices, 电子的速度和加速度根据量子力学，电子的运动可以看作波包的运动，波包的群速就是电子运动的平均速度（波包中心的运动速度）。设波包有许多频率相近的波组成，则波包的群速为：根据波粒二象性，频率为的波，其粒子的能量为h ，所以速度-在准经典近似下, 电子的速度即为波包中心的运动速度(群速度).,2022/11/8,28,Principle of Semiconductor Devices,加速度-在外力(例如电场力)作用下,电子的运动状态发生变化 -晶体中电子的准动量.,2022/11/8,29,Principle of Semiconductor Devices, 关于有效质量的几点说明 有效质量概括了半导体中内部势场的作用.引入有效质量后,带顶、带底的电子运动状态可以表达为类似自由电子的形式。 有效质量可以通过实验直接测得。 由有效质量看内部势场: 有效质量的大小与共有化运动的强弱有关,反映了晶体中的势场对电子束缚作用的大小.(能带极值处有不同的曲率半径) 能带越窄，二次微商越小，有效质量越大（内层电子的有效质量大）；能带越宽，二次微商越大；有效质量越小（外层电子的有效质量小）。 有效质量的正负与位置有关,反映了概括内部周期势场的内部作用后的有效质量。,2022/11/8,30,Principle of Semiconductor Devices,带底,带顶 附近: (一维情况)能量在带底,带顶 附近,Ek为抛物线关系.有效质量为定值有效质量 导带底有效质量0 价带顶有效质量0速度在带底,带顶 附近,其数值正比于k.,E, v, m* k,2022/11/8,31,Principle of Semiconductor Devices,倒有效质量张量 当认为半导体各向同性 (Ek关系各向同性), 则有效质量是常数. 一般情况下, Ek关系不是各向同性, 但半导体具有对称性, 即倒有效质量张量是对称张量. 选择适当的坐标系, 可以使该张量在k空间给定的点对角化.,2022/11/8,32,Principle of Semiconductor Devices,半导体的导电机构-空穴部分填充的能带(导带中有电子, 价带中有空态)才对电导有贡献在外电场作用下,价带中所有价电子运动的效果等价于少量假想粒子(即空穴)的运动效果.讨论半导体中的导电问题 导带电子导电；价带空穴导电.,2022/11/8,33,Principle of Semiconductor Devices,绝对零度和室温时，半导体中的情况,绝对零度和室温情况下的能带图,2022/11/8,34,Principle of Semiconductor Devices,当价带是满带,在外电场作用下,满带电子对导电没有贡献.当价带中存在空状态(图中A点),在外电场作用下,价带电子可参与导电,k空间空穴的运动,2022/11/8,35,Principle of Semiconductor Devices,空穴特点 设价带顶附近, k1处有一空状态, 电荷: 空穴带正电荷, 在外电场下产生电流为 j= ev(k1) 等价于价带中所有其他价电子产生的电流 有效质量: 空穴具有正有效质量 m*p = -m*n 具有准动量 ph= -hk1,2022/11/8,36,Principle of Semiconductor Devices, 能量: 价带顶的空穴能量最低,偏离价带顶,空穴能量增加. 导带底附近电子的能量 E(k)= Ec+ h2k2/2m*n (m*n 0) 价带顶附近电子的能量 E(k)= Ev+ h2k2/2m*n (m*n 0) 或 E(k)= Ev - h2k2/2m*p (m*p 0),2022/11/8,37,Principle of Semiconductor Devices,在外电场作用下,价带中所有价电子运动的效果等价于少量假想粒子(空穴)的运动效果. -空穴概念的引入,使我们对价带的讨论大为简化半导体中导带电子,价带空穴均可导电两种载流子导电.对本征半导体而言,导带电子数与价带空穴数是相同的.,2022/11/8,38,Principle of Semiconductor Devices,2022/11/8,39,2022/11/8,40,多能谷半导体,许多重要的半导体不只有一个导带极小值，而是有若干个位于k空间不同点的极小值。 电子转移效应 在强电场下获得足够高的能量时，电子可以由低能谷向次能谷转移的效应。,2022/11/8,41,态密度的概念,空间允许载流子占据的能态密度。载流子（电子或空穴）占据某个能级（量子态）的几率满足费米分布。费米能级Ef的定义。,2022/11/8,42,1.3 载流子平衡浓度,有效态密度本征半导体杂质半导体,2022/11/8,43,有效态密度,有效态密度导带底有效态密度和价带顶有效态密度自由电子和自由空穴密度的表达式,2022/11/8,44,表1-1 Si、Ge、GaAs的载流子有效质量、有效状态密度及禁带宽度（300K）,2022/11/8,45,本征半导体,本征半导体即没有杂质和缺陷的半导体,当T0K时,出现本征激发,电子和空穴成对产生,即n=p 本征费米能级质量作用定律,2022/11/8,46,本征载流子浓度,Si、GaAs本征载流子浓度与温度的关系,2022/11/8,47,讨论,在一定温度下，一定的半导体，np的乘积是确定的，与掺杂多少、费米能级位置无关。且ni随温度上升而指数增加。半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小。室温下， Si的 ni1.451010cm3， GaAs的 ni1.79106cm3,2022/11/8,48,杂质半导体,杂质半导体，又称为非本征半导体，即有杂质的半导体。(注意杂质与缺陷的区别) 施主与受主 施主杂质：磷、砷、锑 受主杂质：硼、铝、镓 杂质半导体多子、少子浓度的计算公式杂质半导体的能带图补偿半导体,2022/11/8,49,施主与受主,2022/11/8,50,n-Si: 掺杂浓度越高，EF便越高p-Si:掺杂浓度越高，EF便越低,杂质半导体能带图,2022/11/8,51,电荷守恒定律,2022/11/8,52,例子：硅棒中掺杂浓度为1016cm3的As原子。,2022/11/8,53,温度效应, 载流子的散射,散射的起因: 周期势场的被破坏, 附加势场对载流子起散射作用. (理想晶格不起散射作用)散射的结果: 无外场时,散射作用使载流子作无规则热运动, 载流子的总动量仍然=0 在外场下，载流子的动量不会无限增加. 迁移率即反映了散射作用的强弱. vd =,2022/11/8,54,Principle of Semiconductor Devices,散射几率: P (单位时间内一个载流子受到散射的次数) 载流子在连续二次散射之间自由运动的平均时间-平均自由时间 =1/P 载流子在连续二次散射之间自由运动的平均路程-平均自由程 = vT vT电子的热运动速度 数量级估算,2022/11/8,55,Principle of Semiconductor Devices, 主要散射机构电离杂质的散射晶格散射其他因素引起的散射,2022/11/8,56,Principle of Semiconductor Devices,电离杂质的散射,2022/11/8,57,Principle of Semiconductor Devices, 电离杂质的散射,电离杂质浓度为NI, 载流子速度为v,载流子能量为E :定性图象: 散射几率大体与电离杂质浓度成正比; 温度越高,电离杂质散射越弱.,2022/11/8,58,Principle of Semiconductor Devices, 晶格散射, 晶格振动理论简要 晶格振动晶体中的原子在其平衡位置附近作微振动. 格波晶格振动可以分解成若干基本振动, 对应的基本波动,即为格波. 格波能够在整个晶体中传播. 格波的波矢q, q=1/,2022/11/8,59,Principle of Semiconductor Devices,当晶体中有N个原胞,每个原胞中有n个原子,则晶体中有3nN个格波,分为3n支. 3n支格波中,有3支声学波, (3n-3)支光学波晶格振动谱格波的色散关系 q 纵声学波(LA), 横声学波(TA) 纵光学波(LO), 横光学波(TO)格波的能量是量子化的: E= (n+1/2)h,2022/11/8,60,Principle of Semiconductor Devices,图4-7,图4-8,纵波,横波,声学波,光学波,2022/11/8,61,Principle of Semiconductor Devices,K,图4-6金刚石结构,3支声学波, (1支LA,2支TA)3支光学波 (1支LO,2支TO),2022/11/8,62,Principle of Semiconductor Devices,声子-格波的能量子 能量 h , 准动量 hq温度为T时，频率为的格波的 平均能量为 平均声子数,2022/11/8,63,Principle of Semiconductor Devices,电子和声子的相互作用: 能量守恒,准动量守恒. 对单声子过程(电子与晶格交换一个声子,”+”吸收声子, ”-”发射声子): k,E和k,E分别为散射前后电子的波矢,能量,2022/11/8,64,Principle of Semiconductor Devices,声学波散射: (弹性散射)， 对能带具有单一极值的半导体,或多极值半导体中电子在一个能谷内的散射 主要起散射作用的是长波 长声学波中,主要起散射作用的是纵波（与声学波形变势相联系） 声学波散射几率随温度的升高而增加,2022/11/8,65,Principle of Semiconductor Devices,图4-10,纵声学波造成原子分布疏密变化,纵光学波形成空间带正,负电区域,2022/11/8,66,Principle of Semiconductor Devices,光学波散射: (非弹性散射)， 对极性半导体,长纵光学波有重要的散射作用. （与极性光学波形变势相联系）当温度较高, 有较大的光学波散射几率,2022/11/8,67,Principle of Semiconductor Devices, 其他因素引起的散射,等同能谷间的散射 -电子与短波声子发生相互作用中性杂质散射位错散射,2022/11/8,68,Principle of Semiconductor Devices,2022/11/8,69,1.4 载流子输运现象,漂移过程 迁移率，电阻率，霍耳效应扩散过程扩散系数电流密度方程，爱因斯坦关系强电场效应碰撞电离问题,2022/11/8,70,稳态输运方程,讨论稳态输运现象使用的DD模型 漂移扩散方程的近似理论 载流子在外电场和浓度梯度场的作用下，定向运动，形成电流。,2022/11/8,71,漂移过程,迁移率：表征漂移速度与电场的关系：Vd=E 其中，比例系数为迁移率，表示单位场强下电子的平均漂移速度（cm2/Vs)。漂移电流的表达式：I=-nqVdLs电流密度的表达式： J=- nqVd =-nq E室温下Si: n=1350 cm2/Vs, p=500cm2/Vs,2022/11/8,72,Si中迁移率和杂质浓度的关系,2022/11/8,73,Si的电阻率与掺杂水平的关系,查表，数量级要 准确！,2022/11/8,74,霍耳效应,P型半导体：,洛伦兹力,霍耳系数,N型半导体：,2022/11/8,75,扩散系数 载流子浓度存在空间上的变化时，载流子从高浓度区向低浓度区运动，即在浓度梯度场的作用下，作定向运动，这样产生的电流分量称为扩散电流。 扩散系数：Dn=vth*l 载流子电子的扩散电流 Jn= qDndn/dx 载流子空穴的扩散电流 Jp= -qDpdp/dx,扩散过程,2022/11/8,76,电流密度方程,Einstein关系式,2022/11/8,77,强电场效应,2022/11/8,78,碰撞电离问题,当半导体中的电场增加至某值以上时，载流子获得足够动能与晶格碰撞，给出大部分动能打破一个价键，将一个价电子从价带电离到导带，产生一个电子空穴对。这时，产生的电子空穴对在电场中开始加速，与晶格继续发生碰撞，再产生新的电子空穴对，这样的过程一直持续下去，称为雪崩过程，又称为碰撞电离过程。,2022/11/8,79,1.5 非平衡载流子,载流子的注入产生与复合过程连续性方程与泊松方程非稳态输运效应,2022/11/8,80,载流子的注入,引入过剩载流子的过程称为载流子注入载流子注入方法 ：光激发 、电注入 注入水平：多子浓度与过剩载流子浓度的相比 分为：小注入情况与大注入情况 np=ni2作为半导体是否处于热平衡态的判据，其它判据如系统具有统一费米能级。,2022/11/8,81,产生与复合过程,npni2（注入、抽取） np=ni2 非平衡载流子非平衡载流子的复合：（1）直接复合：电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合（2）间接复合：电子和空穴通过禁带的能级(复合中心）进行复合,2022/11/8,82,直接复合,2022/11/8,83,间接复合的四个过程甲-俘获电子；乙-发射电子；丙-俘获空穴；丁-发射空穴。,（a)过程前,(b)过程后,2022/11/8,84,净复合率U(cm-3/s,单位时间、单位体积复合掉的电子-空穴对数)：热平衡下，np=ni2, U=0假设电子俘获截面与空穴的相等, 即n=p=,则EtEi, UMaxium,2022/11/8,85,少子寿命 （小注入） n型半导体中少子寿命(nnn0, nni,pn)同样，对p型半导体中电子的寿命,2022/11/8,86,体内复合和表面复合 载流子复合时，一定要释放多余的能量。放出能量的方法有三种：a.发射光子（常称为发光复合或辐射复合，直接光跃迁的逆过程）b.发射声子（将多余的能量传给晶格，加强晶格的振动）c.将能量给予其它载流子，增加他们的动能（称为俄歇复合（Auger),碰撞电离的逆过程) 俄歇复合：在重掺杂半导体中，俄歇复合是主要的复合机制。 表面复合：由于晶体原子的周期排列在表面中止，在表面区引入了大量的局域能态或产生复合中心，这些能态可以大大增加表面区域的复合率。与间接复合类似，是通过表面复合中心进行的，对半导体器件的特性有很大的影响。,2022/11/8,87,Auger复合,2022/11/8,88,表面复合,小注入表面复合速度,小注入表面复合率,2022/11/8,89,连续性方程和泊松方程,连续性方程：在半导体材料中同时存在载流子的漂移、扩散、复合和产生时，描述这些作用的总体效应的基本方程。连续性方程基于粒子数守恒，即单位体积内电子增加的速率等于净流入的速率和净产生率之和。,2022/11/8,90,小注入下少子的一维连续性方程：,其中，np为p型半导体中的电子浓度，pn为n型半导体中的电子浓度。,2022/11/8,91,泊松方程：,式中，S为半导体的介电常数 称为空间电荷密度,2022/11/8,92,讨论：,原则上，在适当的边界条件下，方程存在唯一解，但是由于复杂，要进行一定的简化和物理近似，在三种重要情况下可以求解这组连续性方程。 （1）稳态单边注入（2）表面少数载流子（3）海恩斯肖克莱实验 （HaynesShockley ）,2022/11/8,93,（1）稳态单边注入,半无限长边界条件:,扩散长度,有限长边界条件:,2022/11/8,94,在xW处，过剩的少数载流子全部抽出，方程的解为：,则 xW处的电流密度方程可由扩散电流表达式给出：,2022/11/8,95,（2）表面少子注入,边界条件：,一端存在表面复合，从半导体内流向表面的空穴电流密度为qUs。表面复合使得表面处的载流子浓度降低，存在空穴浓度梯度，产生扩散电流，其值就等于表面复合电流。稳态时可得连续性方程。,2022/11/8,96,（3）Haynes-Shockley实验,局部光脉冲在半导体样品中产生过剩载流子，连续性方程如下:,加外场时：,2022/11/8,97,Haynes-Shockley 实验：最早演示了少数载流子漂移和扩散的实验装置,2022/11/8,98,非稳态输运效应,大尺寸器件和低频器件：稳态输运方程 深亚微米器件：出现非稳态效应，如产生载流子速度过冲。速度过冲：在电场对于载流子的加速时间小于能量弛豫时间的尺度内，漂移速度将随时间变化。Si和GaAs中电子在时间阶梯电场作用下漂移速度随时间的变化，在加上电场后0.1ps时间内，漂移速度急剧上升达到一个极大值，并逐渐减小，并趋于稳定值。这种现象称为速度过冲。,2022/11/8,99,1.6 半导体的光学性质,在光的作用下，半导体中的电子也可以在不同状态之间跃迁并引起光的吸收或发射。半导体器件中最重要的光电子相互作用是能带间的跃迁。 电子在跃迁过程中要满足能量守恒和动量守恒 辐射跃迁和光吸收,2022/11/8,100,辐射跃迁,自发发射受激发射受激吸收(1)本征跃迁(2)非本征跃迁,光吸收,
