半导体存储器和可编程逻辑器课件.ppt

第7章 半导体存储器和可编程逻辑器件,7.1 概述,1. 集成电路分类,包括门、触发器、计数器、译码器、数据选择器。,（1）标准中小规模集成电路,标准产品的特点是：批量大，成本低，价格便宜。是数字系统传统设计中使用的主要逻辑器件。,缺点是：器件密度低，所构成的数字系统规模大，印刷线路板走线复杂，焊点多，使电路的可靠性差，功耗大。,1,第7章 半导体存储器和可编程逻辑器件7.1 概述1. 集成电,（2）微处理器,缺点：工作速度不够高，另外，这类芯片一般要用多片标准集成电路构成外围电路才能工作。,这类电路的特点：器件密度高，逻辑功能可由软件配置，用它所构成的数字系统硬件规模小，系统灵活性高。,2,（2）微处理器缺点：工作速度不够高，另外，这类芯片一般要用多,半导体存储器是现代数字系统特别是计算机中的重要组成部分之一。 它用于存放二进制信息，每一片存储芯片包含大量的存储单元，每一个存储单元由唯一的地址代码加以区分。,（3）半导体存储器,3,半导体存储器是现代数字系统特别是计算机中的重要组成部分之一。,（4）专用集成电路（ASIC） （Application Specific Integrated Circuit）,ASIC是为满足一种或几种特定功能而设计制造的集成电路芯片，密度高， ASIC芯片能取代由若干个中小规模电路组成的电路板，甚至一个完整的数字系统,4,（4）专用集成电路（ASIC）ASIC是为满足一种或几种特定,ASIC分类： ASIC属用户定制电路。（Custom Design IC).包括全定制和半定制两种。,全定制（Full custom design IC):半导体生产厂家根据用户的特定要求专门设计并制造。,特点：生产周期长，费用高，风险大。在大批量定型产品中使用。,半定制（Semi- custom design IC):半导体生产厂家设计并制造出的标准的半成品芯片。,5,ASIC分类： ASIC属用户定制电路。（Custom De,在硅片上预先做好大量相同的基本单元电路，并把它整齐地排成阵列，这种半成品芯片称为母片。母片可由厂家大批量生产。,当用户需制作满足特定要求的ASIC芯片时，可根据设计要求选择母片，由用户或厂家设计出连线版图，再由器件生产厂家经过金属连线等简单工艺，制成成品电路。,缺点：用户主动性差，使用不方便。,特点：周期较短，成本较低，风险小。,半定制电路分类：, 门阵列 （Gate Array),6,在硅片上预先做好大量相同的基本单元电路，并把它整齐地排, 可编程逻辑器件(PLD) (Programmable Logic Device),芯片上的电路和金属引线由半导体厂家做好，其逻辑功能由用户开发实现。,特点：集成度高，速度快，灵活性好，可重复编程。电路设计方便，风险低。,7, 可编程逻辑器件(PLD)芯片上的电路和金属引线由半导体厂,2. PLD器件的连接表示方法,可编程连接,不连接,（1）PLD 器件的连接表示法,8,2. PLD器件的连接表示方法固定连接可编程连接不连接（1）,（2）门电路表示法,9,（2）门电路表示法1AA1AAAA反向缓冲器ABC&FABC,缓冲器,10,ABC1FABC1F或门 缓冲器10,（3） 阵列图,11,（3） 阵列图1A1B1C&D=BCE=AABBCC=,7.2 半导体存储器,7.2.1 半导体存储器概述,半导体存储器是用半导体器件来存储二值信息的大规模集成电路。,优点:集成度高、功耗小、可靠性高、价格低、体积小、外围电路简单、便于自动化批量生产等。,12,7.2 半导体存储器7.2.1 半导体存储器概述半导体存储器,1. 半导体存储器的分类,（1）按存取方式分类,只读存储器（Read Only Memory，ROM）,随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）,ROM存放固定信息,只能读出信息,不能写入信息.当电源切断时,信息依然保留.,RAM可以随时从任一指定地址读出数据,也可以随时把数据写入任何指定的存储单元.,13,1. 半导体存储器的分类（1）按存取方式分类 只读存储器随机,（2）按制造工艺分类,双极型半导体存储器,MOS型半导体存储器,以双极型触发器为基本存储单元，具有工作速度快、功耗大、价格较高的特点，主要用于对速度要求较高的场合，如在计算机中用作高速缓冲存储器。,以MOS触发器或电荷存储结构为基本存储单元，具有集成度高、功耗小、工艺简单、价格低的特点，主要用于大容量存储系统中，如在计算机中用作主存储器。,14,（2）按制造工艺分类双极型半导体存储器MOS型半导体存储器以,2. 半导体存储器的主要技术指标,（1）存储容量,指存储器所能存放的二进制信息的总量,（2）存取时间,一般用读（或写）周期来描述，连续两次读（或写）操作的最短时间间隔称为读（或写）周期。,15,2. 半导体存储器的主要技术指标（1）存储容量 指存储器所能,7.2.2 只读存储器(ROM),按数据的写入方式分类,固定 ROM,可编程 ROM,16,7.2.2 只读存储器(ROM)按数据的写入方式分类固定 R,1. 固定 ROM,（1） ROM的结构,17,1. 固定 ROM（1） ROM的结构.A0A1An-1地,地址译码器为二进制译码器,即全译码结构.(地址线为n根,译码器输出为2n根字线,说明存储阵列中有2n个存储单元),2) 存储阵列输出有m根位线,说明每个存储单元有m位,即 一个字有m位二进制信息组成.每一位称为一个基本存 储单元.,3) 存储器的容量定义为: 字数位数(2nm).,18,地址译码器为二进制译码器,即全译码结构.(地址线为n根,译码,（2）一个二极管ROM的例子,A1 A0 F0 F1 F2 F30 0 0 1 0 00 1 1 0 0 1 0 0 1 1 01 1 0 0 1 0,19,（2）一个二极管ROM的例子A1 A0 F0 F1,位线,字线,20,1A11A0&W0W1W2W3F0F1F2F3位线字线, W0W3为地址译码器的输出 Wi=mi (mi为地址码组成 的最小项）, 当A1A0=00时，W0=1, F0F1F2F3=0100(一个字）； 当A1A0=01时，W1=1, F0F1F2F3=1001(一个字）； 当A1A0=10时，W2=1, F0F1F2F3=0110(一个字）； 当A1A0=11时，W3=1, F0F1F2F3=0010(一个字）。,21, W0W3为地址译码器的输出 Wi=mi (mi为地址, 将地址输入和Fi之间的关系填入真值表得：,地址 数据A1 A0 F0 F1 F2 F30 0 0 1 0 00 1 1 0 0 1 0 0 1 1 01 1 0 0 1 0,F0=A1A0,F1=A1A0+ A1A0,F2=A1A0+ A1A0,F3=A1A0,ROM实际是一种组合电路结构。,22, 将地址输入和Fi之间的关系填入真值表得： 地址, 阵列图,与阵列：表示译码器。,或阵列：表示存储阵列。,存储容量为： 44,地址 数据A1 A0 F0 F1 F2 F30 0 0 1 0 00 1 1 0 0 1 0 0 1 1 01 1 0 0 1 0,23, 阵列图与阵列：或阵列：存储容量为： 地址,2.可编程ROM,用户可根据需要自行进行编程的存储器.,一次性可编程 ROM（Programmable Read Only Memory，PROM）光可擦除可编程ROM （Erasable Programmable Read Only Memory， EPROM） 电可擦除可编程 ROM （Electrical Erasable Programmable Read Only Memory，E2PROM）快闪存储器（Flash Memory）,24,2.可编程ROM用户可根据需要自行进行编程的存储器.一次性可,编程为一次性的,烧断的熔丝不能再接上.,当在该位上需要存0时,通过编程,烧断熔丝;当需存1时,保留熔丝.,（1）一次性可编程 ROM（PROM）,PROM的结构图,25,位线字线编程为一次性的,烧断的熔丝当在该位上需要存0时,通过,（2）光可擦除可编程ROM （EPROM）,EPROM 是一种可以多次擦除和改写内容的 ROM。它与PROM 的总体结构相似，只是采用了不同的存储单元。,1）浮栅注入 MOS 管（FAMOS 管）,存储单元采用两只 MOS管缺点：集成度低、击穿电压高、速度较慢,26,（2）光可擦除可编程ROM （EPROM）EPROM 是一种,层叠栅存储单元,2）叠层栅注入 MOS 管（SIMOS 管）,27,层叠栅存储单元 2）叠层栅注入 MOS 管（SIMOS 管）,叠层栅MOS管剖面示意图,控制栅与字线 相连，控制信息的读出和写入,浮栅埋在二氧化硅绝缘层，处于电“悬浮”状态，不与外部导通，注入电荷后可长期保存,28,叠层栅MOS管剖面示意图 控制栅浮栅28,1 信息：出厂时所有存储单元的浮栅均无电荷，可认为全部存储了1 信息。,0 信息：在 SIMOS 管的漏极和源极（地）之间加上较高的电压（约 25V） ，形成雪崩击穿现象，产生大量高能电子。同时在控制栅极上加高压正脉冲（50ms，25V） ，则在控制栅正脉冲电压的吸引下，部分高能电子将穿过二氧化硅层到达浮栅，被浮栅俘获，浮栅注入电荷，注入电荷的浮栅可认为写入 0。,信息写入,29,1 信息：0 信息：信息写入 29,栅极加+5V电压，该SIMOS管不导通，只能读出所存储的内容，不能写入信息。,正常工作,信息擦除,紫外线照射SIMOS管时，浮栅上的电子形成光电流而泄放，又恢复到编程前的状态，即将其存储内容擦除。,常用的EPROM集成芯片,Intel 2716（2K8位）、2732（4K8位）、2764（8K8位）、27128（16K8位）、27256（32K8位）,实际中，EPROM芯片的编程和擦除操作是使用专门的编程器和擦除器完成的。,30,栅极加+5V电压，该SIMOS管不导通，只能读出所存储的内容,一个EPROM芯片：Intel 2716,CE是片使能端；,OE是数据输出使能端；,VPP是编程写入电源输入端。,容量：2K8位,受光窗口,31,一个EPROM芯片：Intel 2716CE是片使能端；OE,32,工作方式读 出未选中待 机编 程禁止编程校验读出CEOEVP,（3）电可擦除可编程ROM （E2PROM）,特点： 编程和擦除均由电完成； 既可整片擦除，也可使某些存储单元单独擦除； 重复编程次数大大高于EPROM.,33,（3）电可擦除可编程ROM （E2PROM）,E2PROM存储单元,T2是门控管T1是浮栅隧道氧化层MOS管（简称Flotox管）,34,E2PROM存储单元 T2是门控管34,Flotox管剖面示意图,35,Flotox管剖面示意图 35,1 状态：令Wi=1、Yj=0，则T2导通，T1漏极D1接近0电平，然后在擦写栅G1加上21V正脉冲，就可以在浮栅与漏极区之间的极薄绝缘层内出现隧道，通过隧道效应，使电子注入浮栅。,0 状态：擦写栅接0电平、Wi=1、Yj加上21V正脉冲，使T1漏极获得大约+20V的高电压，则浮栅上的电子通过隧道返回衬底，则浮栅上就没有注入电子，定义为0状态。,信息写入,根据浮栅上是否注入电子来定义0和1状态浮栅注入电子是利用隧道效应进行的。,36,1 状态：0 状态：信息写入根据浮栅上是否注入电子来定义0和,信息读出,读出1：擦写栅加+3V电压，字线加+5V正常电平，这时T2管导通，若浮栅上有注入电子，则T1不能导通，在位线上可读出1.,读出0:若浮栅上没有注入电子，则T1导通，在位线上可读出0。,37,信息读出 读出1：读出0:37,擦写栅和待擦除单元的字线上加21V的正脉冲，漏极接低电平，即可使存储单元回到写入0前的状态，完成擦除操作。,早期E2PROM芯片都需用高电压脉冲进行编程和擦写，由专用编程器来完成。但目前绝大多数E2PROM集成芯片都在内部设置了升压电路，使擦、写、读都可在+5V电源下进行，不需要编程器。,信息擦除,38,擦写栅和待擦除单元的字线上加21V的正脉冲，漏极接低电平，即,（4）快闪只读存储器（Flash Memory）,快闪只读存储器是在吸收E2PROM擦写方便和EPROM结构简单、编程可靠的基础上研制出来的一种新型器件。SST39VF6401A 容量：64Mbits读取时间：70ns 写入时间：7us （写入前必须擦除）擦除时间：Chip-Erase time:40ms Sector-Erase time:18ms (2k words) Block-Erase time: 18ms (32k words)擦除次数：100000次 保存时间：100年,39,（4）快闪只读存储器（Flash Memory）快闪只读存储,快闪存储器存储单元,40,快闪存储器存储单元 40,叠栅MOS管剖面示意图,41,叠栅MOS管剖面示意图 41,1 状态：浮栅未注入电子，相当于存储1。,0 状态：利用雪崩注入的方法使浮栅充电，相当于存储0；,信息写入,与EPROM相同,42,1 状态：0 状态：信息写入与EPROM相同42,读出1：反之，若浮栅上有注入电子，叠栅MOS管截止，位线输出高电平。,读出0:令Wi=1，Vss=0，若浮栅上没有注入电子，则叠栅MOS管导通，位线输出低电平；注入电子，则T1导通，在位线上可读出0。,信息读出,43,读出1：读出0:信息读出43,信息擦除,快闪只读存储器的擦除方法与E2PROM类似，是利用隧道效应来完成的。在擦除状态下，控制栅G处于0电平，源极加入高压脉冲（12V），在浮栅与源区间很小的重叠区域产生隧道效应，使浮栅上的电荷经隧道释放。,44,信息擦除快闪只读存储器的擦除方法与E2PROM类似，是利用隧,3.PROM的应用,1) 实现组合逻辑函数,用PROM实现组合逻辑函数,实际上是利用PROM中的最小项,通过或阵列编程,达到设计目的.,45,3.PROM的应用1) 实现组合逻辑函数用PROM实现组合逻,F1(A,B,C)=m(1,5,6,7),F2(A,B,C)=m(0,1,3,6,7),F3(A,B,C)=m(3,4,5,6,7),例:用PROM实现逻辑函数:,46,F1(A,B,C)=m(1,5,6,7)F2(A,B,C),47,1A&111F1F2F31B1C&m0m1,2) 存放数据表和函数表:例如三角函数、对数、乘 法等表格。,3）存放调试好的程序。,* 2）、3）是PROM的主要用途。,48,2) 存放数据表和函数表:例如三角函数、对数、乘3）存放调试,7.2.3 随机存取存储器(RAM),RAM可以随时从任一指定地址读出数据,也可以随时把数据写入任何指定的存储单元 .,RAM在计算机中主要用来存放程序及程序执行过程中产生的中间数据、运算结果等.,RAM按工艺分类： 1）双极型；2）场效应管型。,场效应管型分为： 1）静态；2）动态。,49,7.2.3 随机存取存储器(RAM)RAM可以随时从任一指,1. RAM的结构,50,1. RAM的结构.A0A1An-1地址译码器存 储W,当片选信号CS无效时,I/O对外呈高阻;当片选信号CS有效时,由R/W信号决定读或写,根据地址信号,通过I/O输出或输入.(I/O为双向三态结构),51,ENEN11I/ODR/W当片选信号CS无效时,I/O对外呈,2. RAM的存储单元,（1）SRAM基本存储单元 (以六管NMOS静态存储单元为例),52,2. RAM的存储单元（1）SRAM基本存储单元52,53,XiYjI/OI/OVCCQQT6T4T3T1T2T5T7T,（2）DRAM基本存储单元,DRAM的基本存储电路由动态MOS基本存储单元组成。DMOS基本存储单元通常利用MOS管栅极电容或其它寄生电容的电荷存储效应来存储信息。,54,（2）DRAM基本存储单元DRAM的基本存储电路由动态MOS,电路结构（以单管动态存储单元为例）,写信息：字选线为1，T导通，数据D经T送入CS .,读信息：字选线为1，T导通，CS上的数据经T送入位线的等效电容CD .,55,电路结构（以单管动态存储单元为例）位线字选线TCSCD输出写,特点： 1）当不读信息时，电荷在电容CS上的保 存时间约为数毫秒到数百毫秒；,2）当读出信息时，由于要对CD充电，使 CS上的电荷减少。为破坏性读出。,3）通常在CS上呈现的代表1和0信号的电平 值相差不大，故信号较弱。,56,特点： 1）当不读信息时，电荷在电容CS上的保 2）,结论：1）需加刷新电路；,2）输出端需加高鉴别能力的输出放大器。,3）容量较大的RAM集成电路一 般采用单管电 路。,4）容量较小的RAM集成电路一 般采用三 管或四 管电路。多管电路结构复杂，但外围电路简 单。,57,结论：1）需加刷新电路；2）输出端需加高鉴别能力的输出放大器,3. RAM容量的扩展,（1）RAM的位扩展,将2114扩展为1K8位的RAM,58,3. RAM容量的扩展VCCA8R/WCSGND191018,（2）RAM的字扩展,将2114扩展为2K4位的RAM,59,（2）RAM的字扩展I/O1I/O2I/O3I/O4A9A0,1.什么是传统机械按键设计？,传统的机械按键设计是需要手动按压按键触动PCBA上的开关按键来实现功能的一种设计方式。,传统机械按键设计要点：1.合理的选择按键的类型，尽量选择平头类的按键，以防按键下陷。2.开关按键和塑胶按键设计间隙建议留0.050.1mm，以防按键死键。3.要考虑成型工艺，合理计算累积公差，以防按键手感不良。,传统机械按键结构层图：,按键,开关键,PCBA,1.什么是传统机械按键设计？传统的机械按键设计是需要手动按压,7.3 可编程逻辑器件(PLD),7.3.1 PLD概述,数字逻辑器件分类(按照逻辑功能的特点分),通用型,专用型,通用性强，但逻辑功能较简单、且固定不变 ;构成的系统功耗体积大、可靠性差;中、小规模数字集成电路都属于通用型。,为某种专门用途而设计的集成电路；成本较高、周期较长。,矛盾,PLD,61,7.3 可编程逻辑器件(PLD)7.3.1 PLD概述数字逻,PLD的特点,2）逻辑功能可由用户通过对器件编程自行设定，且具有 专用型器件构成数字系统体积小、可靠性高的优点；,1）作为通用型器件生产的，具有批量大、成本低的特点；,4）增强了设计的灵活性，减轻了电路图和电路板设计的 工作量和难度，提高了工作效率；,3）改变了传统数字系统采用通用型器件实现系统功能的 设计方法；,5）PLD已在计算机硬件、工业控制、现代通信、智能仪 表和家用电器等领域得到愈来愈广泛的应用。,62,PLD的特点2）逻辑功能可由用户通过对器件编程自行设定，且具,1. PLD的分类,（1）低密度PLD（SPLD）,每个芯片集成的逻辑门数大约在1000门以下,可编程只读存储器（PROM）可编程逻辑阵列（Programmable Logic Array，简称PLA）可编程阵列逻辑（Programmable Array Logic，简称PAL）通用阵列逻辑（Generic Array Logic，简称GAL),63,1. PLD的分类 （1）低密度PLD（SPLD） 每个芯片,可擦除的可编程逻辑器件 （Erasable Programmable Logic Array，简称EPLD）复杂的可编程逻辑器件 （Complex Programmable Logic Array，简称CPLD）现场可编程门阵列 （Field Programmable Gate Array，简称FPGA）,（2）高密度PLD,每个芯片集成的逻辑门数达数千门，甚至上万门，具有在系统可编程或现场可编程特性，可用于实现较大规模的逻辑电路,64,可擦除的可编程逻辑器件（2）高密度PLD 每个芯片集成的逻辑,2. PLD的基本结构,（1）“与或”阵列结构（乘积项结构 ）,65,2. PLD的基本结构 （1）“与或”阵列结构（乘积项结构,根据与、或阵列的可编程性，PLD分为三种基本结构。,1）与阵列固定，或阵列可编程型结构,PROM属于这种结构。,2）与、或阵列均可编程型结构,PLA(Programmable Logic Array)属于这种结构。,特点：与阵列规模大，速度较低。,特点：速度快，设计逻辑函数可采用最简结构，芯片内部资源利用率高。但编程难度大，缺乏质高价廉的开发工具。,66,根据与、或阵列的可编程性，PLD分为三种基本结构。1）与,3）或阵列固定，与阵列可编程型结构,PAL(Programmable Array Logic)属于这种结构。,特点：速度快，费用低，易于编程。当前许多PLD器件都采用这种结构。,67,3）或阵列固定，与阵列可编程型结构PAL(Programma,（2）查找表（Look-Up-Table,LUT）结构,用存储逻辑的存储单元来实现逻辑运算。FPGA是属于此类器件。,RAM存储器预先加载要实现的逻辑函数真值表，输入变量作为地址用来从RAM存储器中选择输出逻辑值 。,工作原理,类似于用ROM实现组合逻辑电路。,68,（2）查找表（Look-Up-Table,LUT）结构 用存,7.3.2 可编程阵列逻辑(PAL),PAL的基本结构,69,7.3.2 可编程阵列逻辑(PAL)PAL的基本结构111&,1. PAL的输出结构,PAL的与阵列结构类同.但输出结构有多种:,1) 组合输出型(这种结构适用于实现组合逻辑电路), 专用输出结构,共有三种形式:高输出有效;低输出有效;互补输出.,本例为低输出有效,70,1. PAL的输出结构PAL的与阵列结构类同.但输出结构有多, 可编程I/O结构,2) 寄存器输出型,寄存器输出型结构,内含触发器,适应于实现时序逻辑电路.,71, 可编程I/O结构I/O&11输入项IEN112), 寄存器输出结构,72, 寄存器输出结构Q&11输入项IEN111DCLOC,带异或门的寄存器输出结构,73,带异或门的寄存器输出结构Q&11输入项IEN111, 算术运算反馈结构,74, 算术运算反馈结构A11输入项BEN111D=1CL,75,1EN111DCLKEN&1EN111D&111IN1I,PAL的结构代码,76,PAL的结构代码组合型寄存器型类型代码HLPCXPSRXRP,请用PAL16L8实现22乘法器（输入A1A0和B1B0分别为两位二进制数，输出为结果F3F2F1F0）。,逻辑方程为：,2. PAL应用举例,77,请用PAL16L8实现22乘法器（输入A1A0和B1B0分,78,1EN111&1A1F1PAL16L800311A01B1,3. PAL器件的性能特点, 逻辑功能由用户定义，用可编程方法代替常规 设计方法；, 编程容易，开发简单，简化了系统设计和布线 过程；,器件密度大，可代替多片中小规模标准数字集成电路，比用常规器件节省空间；,器件传输延迟小，工作频率高，有利于提高系统的工作速度；,具有可编程的三态输出，管脚配置灵活，输入输出管脚数量可变；,79,3. PAL器件的性能特点 逻辑功能由用户定义，用可编程方,具有加密功能，有利于系统保密；,采用多种工艺制造，可满足不同系统不同场合的各种需要。,80,具有加密功能，有利于系统保密；采用多种工艺制造，可满足不,7.3.3 通用阵列逻辑(GAL),GAL器件继承了PAL、PROM等器件的优点，克服了原有PAL器件的不足,是现代数字系统设计的理想器件.,1. GAL基本结构,GAL基本结构和PAL大致类似,只是在输出结构上作了重要改进.,81,7.3.3 通用阵列逻辑(GAL)GAL器件继承了PAL、P,82,OLMCEN1111&1&1112919GAL16V8,OLMC结构,乘积项数据选择器,三态数据选择器,输出数据选择器,反馈数据选择器,83,OLMC10S1=1 PT&13210S1S1XOR(,AC0、AC1(n)及XOR(n)均为GAL器件片内控制字中的结构控制位。结构控制字共有82位，不同的控制内容，可使OLMC被配置成不同的功能组态。,控制字的内容是在编程时由编程器根据用户定义 的管脚及实现的函数自动写入的。,2.GAL的主要特点, 通用性强, 100%可编程, 速度高,功率低, 100%可测试,84,AC0、AC1(n)及XOR(n)均为GAL器件片内控制字中,7.3.4 复杂的可编程逻辑器件（CPLD）,1. CPLD的基本结构,可编程的逻辑模块输入/输出模块可编程的内部连线阵列,以Lattice公司生产的ispLSI1032为例介绍CPLD具体结构,85,7.3.4 复杂的可编程逻辑器件（CPLD） 1. CPLD,ispLSI1032器件结构,全局布线区（GRP）通用逻辑模块（GLB）输入/输出单元（IOC）输出布线区（ORP）时钟分配网络（CDN）,86,ispLSI1032器件结构 全局布线区（GRP）86,ispLSI1032的逻辑功能划分框图,87,ispLSI1032的逻辑功能划分框图 87,2. 全局布线区（GRP）,位于器件的中心，是器件的专用内部互连结构，提供高速的内部连线。,3. 通用逻辑模块（GLB）,用于实现逻辑功能，它由与阵列、乘积项共享的或逻辑阵列和输出逻辑宏单元（OLMC）组成。,88,2. 全局布线区（GRP） 位于器件的中心，是器件的专用内部,GLB的电路结构图,89,GLB的电路结构图 89,GLB结构形式与GAL类似，做了如下改进：,（1）它的或逻辑阵列采取了乘积项共享的结构形式。,（2）通过编程可以将GLB设置成多种连接模式：,1）标准模式,2）高速旁路模式,3）异或逻辑模式,4）单乘积项模式,5）多重模式,90,GLB结构形式与GAL类似，做了如下改进：（1）它的或逻辑阵,1）标准模式,4个或门的输入分别为4个、4个、5个和7个乘积项的输入，每个触发器的输入可以是或门中的一个或多个，所以最多可以将20个乘积项的逻辑或输入一个触发器，实现多乘积项的逻辑函数。,91,1）标准模式 4个或门的输入分别为4个、4个、5个和7个乘积,2）高速旁路模式,将4个或门的输出直接和4个触发器相连，每个或门只能有4个乘积项，分别输入触发器。在这种方式中，或门的输出不经过共享阵列直接输出，为输出提供了高速通道，减少了电路的延迟，可用于高速计数器的设计。,92,2）高速旁路模式 将4个或门的输出直接和4个触发器相连，每个,3）异或逻辑模式,采用4个异或门，每个异或门的输入之一是4个或门输出的任意组合，另一个来自乘积项0、4、8和13。这种配置模式适合设计计数器、比较器和算术逻辑运算部件等。,93,3）异或逻辑模式 采用4个异或门，每个异或门的输入之一是4个,4）单乘积项模式,乘积项直接与4个触发器相连，比高速旁路模式减少了一级或门的连接，速度最快。,5）多重模式,在同一个GLB中混合使用前4种模式。,94,4）单乘积项模式 乘积项直接与4个触发器相连，比高速旁路模式,4. 输入/输出单元（IOC）,IOC的电路结构图,三态输出缓冲器,输入缓冲器,输入寄存器/锁存器,可编程的数据选择器,95,4. 输入/输出单元（IOC） IOC的电路结构图 三态输出,IOC的各种组态,96,IOC的各种组态 96,5. 输出布线区（ORP）,是介于GLB和IOC之间的可编程互连阵列。,通过对ORP的编程，可以把任何一个GLB的输出信号灵活地与某一个IOC相连。,它将对GLB的编程和对外部引脚的排列分开进行，赋予外部引脚分配更大的灵活性。,97,5. 输出布线区（ORP）是介于GLB和IOC之间的可编程互,6. 时钟分配网络（ORP）,时钟分配网络产生5个全局时钟信号：GLB的时钟：CLK0、CLK1、CLK2IOC的时钟：IOCLK0和IOCLK1,ispLSI1032有3个专用系统时钟输入引脚，可以通过时钟分配网络分配给GLB和IOC。,98,6. 时钟分配网络（ORP）时钟分配网络产生5个全局时钟信号,7. CPLD器件的编程,需要专用编程电缆、计算机和ISP编程软件。,对器件编程时，计算机运行ISP编程软件，根据用户编写的源程序产生编程数据和编程命令，通过编程电缆将编译后的文件（*.jed）下载到ispLSI器件中，完成ispLSI器件的编程。,99,7. CPLD器件的编程 需要专用编程电缆、计算机和ISP编,7.3.5 现场可编程门阵列（FPGA）,1. FPGA的基本结构,不同公司生产的FPGA结构和性能不尽相同，以Xilinx公司的XC4000系列为例介绍FPGA的基本结构和各模块功能。,100,7.3.5 现场可编程门阵列（FPGA）1. FPGA的基本,XC4000系列FPGA基本结构,101,XC4000系列FPGA基本结构 101,2. 可配置逻辑模块（CLB）,XC4000系列FPGA的CLB结构图,102,2. 可配置逻辑模块（CLB）XC4000系列FPGA的CL,（1）组合逻辑函数发生器,查找表的工作原理类似于用ROM实现多种组合逻辑函数，其输入等效于ROM的地址码，存储的内容为相应的逻辑函数取值，通过查找地址表，可得到逻辑函数的输出。,查找表结构,103,（1）组合逻辑函数发生器查找表的工作原理类似于用ROM实现多,组合逻辑函数发生器G1G4和F1F4除了实现一般的组合、时序逻辑功能外，其内部各有16个可编程数据存储单元，在工作方式控制字的控制下，它们可以作为器件内部读/写存储器使用。,说明：,104,组合逻辑函数发生器G1G4和F1F4除了实现一般的组合、,（2）边沿D触发器,CLB中有2个边沿D触发器，通过2个4选1数据选择器可分别选择DIN、F、G和H之一作为D触发器的输入信号。2个D触发器共用时钟脉冲，通过2个2选1数据选择器选择上升沿或下降沿触发。,105,（2）边沿D触发器CLB中有2个边沿D触发器，通过2个4选1,3. 可编程输入输出模块（IOB）,分布在器件的四周，它提供了器件外部引脚和内部逻辑之间的连接,106,3. 可编程输入输出模块（IOB）分布在器件的四周，它提供,4. 可编程互联资源（ICR）,由分布在CLB阵列之间的金属网络线和阵列交叉点上的可编程开关矩阵（PSM）组成。它可将器件内部任意两点连接起来，并且能将FPGA中数目很大的CLB和IOB连接成复杂的系统。,根据应用的不同，ICR一般提供3种连接结构：,（1）通用单/双长度线连接,主要用于CLB之间的连接。任意两点间的连接都要通过开关矩阵。灵活性好，但信号传输时延不可预知。,107,4. 可编程互联资源（ICR）由分布在CLB阵列之间的金属网,（2）长线连接,水平长线和垂直长线不经过可编程开关矩阵，信号延迟时间小。长线连接主要用于长距离或关键信号的传输。,（3）全局连接,主要用于传送一些公共信号，如全局时钟信号、公用控制信号等。,108,（2）长线连接水平长线和垂直长线不经过可编程开关矩阵，信号延,5. FPGA编程数据的装载,编程数据存放于FPGA片内的独立的静态存储器中，控制FPGA的工作状态，由于停电后，静态存储器中的数据不能保存，所以，每次接通电源后，必须重新将编程数据写入静态存储器，这个过程称为装载。,编程数据通常存放在一个EPROM中，也可以存放在计算机的存储器中。整个装载过程在接通电源后自动开始，或由外加控制信号启动，在片内的时序电路控制下自动完成。,109,5. FPGA编程数据的装载编程数据存放于FPGA片内的独立,6. FPGA的特点,（1）FPGA的编程单元是SRAM结构，可以无限次编程，但它属于易失性元件，掉电后芯片内的信息丢失，通电之后，要为FPGA重新配置逻辑。,（2）FPGA中实现逻辑功能的CLB比其他HDPLD实现逻辑功能的宏单元规模小，制作一个宏单元的面积可以制作多个CLB，因而FPGA内的触发器要多于其他HDPLD，使得FPGA在实现时序逻辑电路时要强于其他HDPLD。,110,6. FPGA的特点（1）FPGA的编程单元是SRAM结构，,（4）由于FPGA内部的CLB、IOB和ICR均可编程，提供了组合逻辑函数发生器，可实现多个变量的任意逻辑，又有丰富的连线，所以可进行充分的优化，以达到逻辑利用率最高。,（3）FPGA的内连线是分布在CLB周围，而且编程的种类和编程点很多，使得布线相当灵活，而内部时间延迟与器件的结构逻辑连接有关，传输延时不可预测。,111,（4）由于FPGA内部的CLB、IOB和ICR均可编程，提供,基本积木块：Slice（Xilinx）、LE （Altera）包含：LUTCarry LogicRegister/LatchMultiplexerShift Register,112,基本积木块：Slice（Xilinx）、LE （Alter,7.3.6 PLD的开发过程,PLD开发系统,开发软件,开发硬件,计算机,编程器,编程电缆,QuartusII （Altera公司）,Foundation（Xilinx公司）,ispLever （Lattice 公司）,113,7.3.6 PLD的开发过程PLD开开发软件开发硬件计算机编,PLD的设计流程图,114,PLD的设计流程图 114,（1）设计分析,1. 设计步骤,指在利用PLD进行数字系统设计之前，根据PLD开发环境及设计要求选择适当的设计方案和器件类型。,（2）设计输入,原理图输入方式,硬件描述语言文本输入方式,混合输入方式,特点：直观地描述连接关系，但设计繁琐,特点：设计简单，但不适合描述模块间的连接关系,115,（1）设计分析 1. 设计步骤指在利用PLD进行数字系统设计,（3）设计处理,1）设计输入编译,根据选择的器件型号，将设计输入文件转换为具体电路结构下载编程（或配置）文件，是设计的核心环节 。,检查设计输入的逻辑完整性和一致性，并建立各种设计输入文件之间的连接关系。,2）逻辑设计优化,化简设计输入逻辑，以减少设计所占用的器件资源。,116,（3）设计处理1）设计输入编译 根据选择的器件型号，将设计输,3）设计综合,将模块化设计中产生的多个文件合并为一个网表文件，使层次设计平面化。,4）逻辑适配和分割,按系统默认的或用户设定的适配原则，把设计分为多个适合器件内部逻辑资源实现的逻辑形式。,5）布局和布线,布局是将已分割的逻辑小块配置到所选器件内部逻辑资源的具体位置，并使逻辑之间易于连线，且连线最少。,布线是利用器件的连线资源，完成各个功能块之间的信号连接。,117,3）设计综合将模块化设计中产生的多个文件合并为一个网表文件，,（4）器件编程,将设计处理生成的编程数据文件下载到具体的PLD器件中，使其按照设计的功能工作。,普通的CPLD器件：由专用的编程器来完成器件编程；,基于SRAM的FPGA：可由PROM或微处理器来进行器件编程；,具有在线可编程性能的CPLD和FPGA器件：利用计算机的并行口通过相应的下载电缆，直接对焊接在电路板上的器件编程。,118,（4）器件编程将设计处理生成的编程数据文件下载到具体的PLD,2. 设计校验,对上述逻辑设计进行仿真和测试，以验证逻辑设计是否满足设计功能要求。,（1）功能仿真,验证逻辑设计的正确性。,（2）时序仿真,分析定时关系、估计设计性能。,（3）器件测试,在线测试器件的功能和性能指标，看其是否达到最终目标。,119,2. 设计校验对上述逻辑设计进行仿真和测试，以验证逻辑设计是,